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DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Nombre comercial = DTMOSIV

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20V60W5,LVQ
Toshiba
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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
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$3.03

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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Enhancement

DTMOSIV

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TK8P60W5,RVQ
Toshiba
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TK6P60W,RVQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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DTMOSIV

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TK12A80W,S4X
Toshiba
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DTMOSIV

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Toshiba
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DTMOSIV

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TK35N65W,S1F
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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TK14A65W5,S5X
Toshiba
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DTMOSIV

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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Toshiba
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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
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TK7A80W,S4X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
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TK8P65W,RQ

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757-TK8P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
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TK16V60W5,LVQ

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757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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Cinta cortada

$6.80

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Envase tipo carrete

$2.90

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Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

TK12P60W,RVQ
Toshiba
1: $4.62
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TK12P60W,RVQ

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757-TK12P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

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757En existencias

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$4.62

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$1.72

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

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- 30 V, 30 V

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25 nC

- 55 C

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100 W

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK39N60W5,S1VF
Toshiba
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TK39N60W5,S1VF

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757-TK39N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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4,395En existencias

$9.91

$5.75

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TO-247-3

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1 Channel

600 V

38.8 A

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- 30 V, 30 V

3 V

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270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

TK100L60W,VQ
Toshiba
1: $41.86
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TK100L60W,VQ

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757-TK100L60WVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

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$41.86

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600 V

100 A

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797 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK14G65W,RQ
Toshiba
1: $4.85
1,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14G65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK14G65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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1,288En existencias

Cinta cortada

$4.85

$3.19

$2.22

$1.96

Envase tipo carrete

$1.83

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Min.: 1
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TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: $7.68
3,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

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$7.68

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Carrete: 2,500

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DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

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- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK10A60W5,S5VX
Toshiba
1: $3.51
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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257En existencias

$3.51

$1.74

$1.68

$1.26

$1.23

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

TK10A60W,S4VX
Toshiba
1: $4.76
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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79En existencias

$4.76

$2.42

$2.17

$1.86

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

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DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

TK10A80W,S4X
Toshiba
1: $5.67
188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

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188En existencias

$5.67

$3.51

$2.99

$2.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9.5 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK10E60W,S1VX
Toshiba
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TK10E60W,S1VX

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

TK10P60W,RVQ
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TK10P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

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Cinta cortada

$5.62

$2.89

$2.30

$2.28

Envase tipo carrete

$2.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

TK10Q60W,S1VQ
Toshiba
1: $5.62
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

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Hoja de datos

150En existencias

$5.62

$3.20

$2.87

$2.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

TK11A65W,S5X
Toshiba
1: $2.69
43En existencias
250Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK11A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

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43En existencias

250Se espera el 17/04/2026

$2.69

$1.55

$1.13

$0.949

$0.822

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
27.6 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC
50 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
156 W
165 W
180 W
230 W
240 W
270 W
400 W