TK10A60W,S4VX

Toshiba
757-TK10A60WS4VX
TK10A60W,S4VX

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 79

Existencias:
79 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.39 $2.39
$1.79 $17.90
$1.73 $173.00
$1.69 $845.00
$1.63 $1,630.00
10,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
327 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 22 ns
Serie: TK10A60W
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 75 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 45 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

MXHTS:
85412999
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.