TK100L60W,VQ

Toshiba
757-TK100L60WVQ
TK100L60W,VQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Modelo ECAD:
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En existencias: 74

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$39.39 $39.39
$30.15 $301.50
$27.89 $2,789.00
2,500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PL-3
N-Channel
1 Channel
600 V
100 A
15 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
360 nC
- 55 C
+ 150 C
797 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 125 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 130 ns
Serie: TK100L60
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 690 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 230 ns
Peso de la unidad: 7 g
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
85412999
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.