Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Módulos MOSFET 500V 100A
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 500V 64A
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 600V 64A
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892En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 600V 48A
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds
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345En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
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300En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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507En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
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340En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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891En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
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1,710En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
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276En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A
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370En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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646En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3