Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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1,148En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
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3,258En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 600V 64A
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898En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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325En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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1,727En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
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384En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
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1,733En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A
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370En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
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678En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
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170En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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547En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
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209En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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196En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 36 Amps 800V
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141En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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326En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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218En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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1,650En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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234En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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2,989En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
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295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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515En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds
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324En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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406En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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261En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel