HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 722
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
945En existencias
3,510En pedido
$33.93
$23.92
$22.02
$21.80
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
Hoja de datos
8,813En existencias
$8.57
$4.54
$4.02
$3.60
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,135En existencias
$36.28
$23.53
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
1,488En existencias
$35.62
$23.00
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Hoja de datos
1,487En existencias
$90.43
$73.06
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
3,498En existencias
$14.79
$8.27
$7.62
$7.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Hoja de datos
226En existencias
300Se espera el 24/03/2027
$29.80
$22.01
$19.24
$17.80
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
Hoja de datos
94En existencias
$54.24
$46.27
$38.22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
262En existencias
$39.66
$26.34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 110 A 56 mOhms 30 V 5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 1000V 0.22 Rds
Hoja de datos
469En existencias
$47.94
$36.69
$34.76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms 30 V 6.5 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
Hoja de datos
328En existencias
$16.51
$9.13
$8.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds
Hoja de datos
310En existencias
$14.43
$9.62
$8.07
$7.96
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 600 mOhms 30 V 5 V 71 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
Hoja de datos
1,709En existencias
$17.63
$9.82
$9.32
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
Hoja de datos
253En existencias
$33.62
$22.23
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms 30 V 3 V 198 nC - 55 C + 150 C 1.2 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
Hoja de datos
1,162En existencias
$25.32
$15.78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 75 V 520 A 2.2 mOhms 20 V 5 V 545 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A
Hoja de datos
360En existencias
$34.00
$23.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
943En existencias
$16.69
$9.44
$8.74
$8.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Hoja de datos
825En existencias
$23.36
$13.43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms 20 V 2.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
361En existencias
$48.19
$34.10
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
754En existencias
$35.98
$23.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A
Hoja de datos
187En existencias
$25.79
$19.27
$16.09
$15.61
$14.76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 1.6 mOhms 20 V 3.5 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Hoja de datos
329En existencias
$20.23
$11.43
$11.14
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds
Hoja de datos
661En existencias
$7.88
$4.15
$3.77
$3.30
$3.22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 48 A 50 mOhms 30 V 2.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Hoja de datos
1,047En existencias
720Se espera el 18/01/2027
$27.25
$19.20
$17.23
$16.93
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 1.35 Ohms 30 V 6.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
277En existencias
$16.93
$9.39
$8.84
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube