Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 49

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF009N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $5.24
1,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF009N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF009N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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1,089En existencias

Cinta cortada

$5.24

$2.44

$2.03

$1.85

Envase tipo carrete

$1.85

MouseReel Disponible

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: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

302 A

900 uOhms

20 V

2.1 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT012N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $7.70
1,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1,648En existencias

Cinta cortada

$7.70

$4.04

$3.69

$3.54

$3.41

Envase tipo carrete

$3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.23 mOhms

20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPF050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.84
1,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,215En existencias

Cinta cortada

$3.84

$1.74

$1.52

$1.38

Envase tipo carrete

$1.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

117 A

5.05 mOhms

20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISC019N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.34
6,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N03L5SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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6,322En existencias

Cinta cortada

$2.34

$1.17

$0.972

$0.798

Ver

Envase tipo carrete

$0.655

Min.: 1
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TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.9 mOhms

20 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $5.76
3,422En existencias

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IPP011N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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3,422En existencias

$5.76

$2.73

$2.30

$2.11

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

201 A

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20 V

3.4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.12
1,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1,841En existencias

$3.12

$1.57

$1.26

$1.07

$1.03

Min.: 1
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Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
1: $3.52
963En existencias
1,000Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N06NF2SAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

963En existencias

1,000Se espera el 12/11/2026

$3.52

$2.12

$1.91

$1.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.4 mOhms

20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.57
3,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8318TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

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Hoja de datos

3,930En existencias

Cinta cortada

$1.57

$0.619

$0.542

$0.467

Envase tipo carrete

$0.378

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

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20 V

1.8 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISZ065N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.34
4,237En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
ISZ065N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ065N03L5SATMA

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos

4,237En existencias

Cinta cortada

$1.34

$0.616

$0.546

$0.42

Envase tipo carrete

$0.304

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

8.6 mOhms

20 V

1.2 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.40
3,241En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8324TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

Hoja de datos

3,241En existencias

Cinta cortada

$1.40

$0.645

$0.582

$0.454

Envase tipo carrete

$0.324

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

6.3 mOhms

20 V

1.8 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.45
8,951En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

8,951En existencias

Cinta cortada

$3.45

$2.21

$1.51

$1.28

Envase tipo carrete

$1.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

ISZ028N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.25
4,955En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ028N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ028N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

4,955En existencias

Cinta cortada

$2.25

$1.07

$0.952

$0.749

Envase tipo carrete

$0.551

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

128 A

2.8 mOhms

20 V

2.35 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT015N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $7.64
4,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-15N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

4,004En existencias

Cinta cortada

$7.64

$4.00

$3.65

$3.32

$3.12

Envase tipo carrete

$3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

315 A

1.5 mOhms

20 V

2.2 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD040N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.28
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD040N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990En existencias

Cinta cortada

$3.28

$1.61

$1.44

$1.15

$1.12

Envase tipo carrete

$0.992

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

4 mOhms

20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP670P06NMAXTSA1
Infineon Technologies
1: $3.04
2,131En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISP670P06NMAXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP670P06NMAXTSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,131En existencias

Cinta cortada

$3.04

$1.48

$1.33

$1.06

Envase tipo carrete

$0.997

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

6.4 A

67 mOhms

20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.585
227,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6346TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6346TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

227,477En existencias

Cinta cortada

$0.585

$0.312

$0.273

$0.204

Envase tipo carrete

$0.152

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.4 A

63 mOhms

12 V

800 mV

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2
Infineon Technologies
1: $0.351
474,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N7002H6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Hoja de datos

474,048En existencias

Cinta cortada

$0.351

$0.152

$0.133

$0.098

Envase tipo carrete

$0.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.89
774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD028N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

774En existencias

Cinta cortada

$3.89

$2.04

$1.76

$1.50

$1.42

Envase tipo carrete

$1.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

139 A

2.85 mOhms

20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP16DP10LMAXTSA1
Infineon Technologies
1: $2.74
1,514En existencias
2,000Se espera el 24/06/2027
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISP16DP10LMAXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP16DP10LMAXTSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

1,514En existencias

2,000Se espera el 24/06/2027

Cinta cortada

$2.74

$1.33

$1.18

$0.936

Envase tipo carrete

$0.875

$0.764

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3.9 A

67 mOhms

20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.22
7,805En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6276TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

Hoja de datos

7,805En existencias

Cinta cortada

$1.22

$0.56

$0.495

$0.38

Envase tipo carrete

$0.282

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

45 mOhms

12 V

1.8 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF014N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $8.97
4,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF014N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,246En existencias

Cinta cortada

$8.97

$4.77

$4.37

$3.87

Envase tipo carrete

$3.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

282 A

1.4 mOhms

20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $5.89
1,338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP026N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,338En existencias

$5.89

$3.22

$2.93

$2.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

184 A

2.6 mOhms

20 V

3.8 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

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- 55 C

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110 A

5 mOhms

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3.8 V

51 nC

- 55 C

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150 W

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1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

20 V

3.8 V

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- 55 C

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

120 mA
190 mA
300 mA
1.1 A
2.7 A
3.4 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4.1 A
4.5 A
5 A
5.3 A
5.8 A
6.3 A
6.4 A
8.3 A
22 A
40 A
52 A

900 uOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.23 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.85 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.05 mOhms
5.5 mOhms

600 pC
630 pC
1 nC
2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
5.2 nC
5.4 nC
6.8 nC
8.9 nC
11 nC
14 nC
15 nC
19 nC
22 nC
23 nC

500 mW
1.25 W
1.3 W
1.5 W
1.8 W
2 W
3.6 W
4.2 W
5 W
9.6 W
54 W
69 W
71 W
75 W
83 W
100 W
107 W
136 W
140 W
150 W