Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.38
4,600 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,600 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
310 mOhms
20 V
2.5 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
84 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.33
8,650 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8,650 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
4.5 A
1 Ohms
20 V
2.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.81
9,128 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
9,128 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2 Ohms
20 V
2.5 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.82
4,448 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,448 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
640 mOhms
20 V
2.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
51 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.61
7,416 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
7,416 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
770 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.99
7,343 En existencias
9,000 Se espera el 03/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
7,343 En existencias
9,000 Se espera el 03/12/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.2 Ohms
20 V
2.5 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
7 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.95
1,216 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,216 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
770 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.64
1,411 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,411 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
900 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.87
2,877 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,877 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.4 Ohms
30 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.46
1,318 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,318 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
510 mOhms
20 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.32
7,574 En existencias
500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
7,574 En existencias
500 En pedido
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
640 mOhms
20 V
2.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.76
7,135 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
7,135 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
280 mOhms
30 V
3 V
36 nC
- 50 C
+ 150 C
101 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.30
5,287 En existencias
5,000 Se espera el 28/01/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
5,287 En existencias
5,000 Se espera el 28/01/2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
510 mOhms
20 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.00
2,982 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,982 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
510 mOhms
30 V
3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
7.4 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.96
1,489 En existencias
2,500 Se espera el 05/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,489 En existencias
2,500 Se espera el 05/11/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3 A
1.7 Ohms
20 V
2.5 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
24 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.61
702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
702 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.4 Ohms
30 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
24 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$5.53
478 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
478 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
280 mOhms
30 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.60
734 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
734 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
310 mOhms
20 V
2.5 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice
IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.68
4,447 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice
4,447 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
1.9 A
2.8 Ohms
20 V
2.5 V
5.8 nC
- 55 C
+ 150 C
18 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.97
159 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
159 En existencias
10,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
159 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
7,500 Se espera el 20/05/2027
2,500 Se espera el 03/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
46 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
450 mOhms
30 V
3 V
24 nC
- 50 C
+ 150 C
73 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.59
3,652 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,652 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
1.5 A
4.5 Ohms
30 V
3 V
4 nC
- 50 C
+ 150 C
13 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.68
663 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
663 En existencias
6,000 En pedido
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2 Ohms
30 V
3.5 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.44
3,000 En existencias
24,000 Se espera el 10/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,000 En existencias
24,000 Se espera el 10/12/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
1.5 A
3.8 Ohms
20 V
2.5 V
4 nC
- 55 C
+ 150 C
6 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1:
$1.59
1,486 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,486 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
800 V
1.5 A
4.5 Ohms
30 V
3 V
4 nC
- 50 C
+ 150 C
13 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
+1 imagen
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.01
108 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
108 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
280 mOhms
30 V
3 V
36 nC
- 50 C
+ 150 C
101 W
Enhancement
CoolMOS
Tube