U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Resultados: 43
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
277,024En existencias
Cinta cortada
$0.351
$0.153
$0.133
$0.098
Envase tipo carrete
$0.069
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 330 mA 1.31 Ohms 8 V 300 mV 1.2 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
24,231En existencias
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$0.741
$0.334
$0.293
$0.22
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$0.161
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: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 93 mOhms 12 V 1 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
26,613En existencias
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$0.962
$0.433
$0.381
$0.289
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$0.22
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: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 28 mOhms 10 V 350 mV 13.6 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package
2,028En existencias
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$1.08
$0.482
$0.424
$0.321
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$0.204
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: 3,000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 55 mOhms 10 V 1 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL 1,725En existencias
Cinta cortada
$5.33
$2.72
$2.38
$2.04
$1.92
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$1.92
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: 1,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V 204,209En existencias
Cinta cortada
$0.65
$0.289
$0.252
$0.19
Envase tipo carrete
$0.135
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: 4,000
Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 80 mA, 720 mA 240 mOhms, 300 mOhms - 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 2 nC, 1.76 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII / U-MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 56,303En existencias
69,000Se espera el 27/11/2026
Cinta cortada
$0.299
$0.127
$0.112
$0.082
Envase tipo carrete
$0.059
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 2.2 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 39,929En existencias
Cinta cortada
$0.39
$0.172
$0.15
$0.111
Envase tipo carrete
$0.066
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: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 58,045En existencias
16,000Se espera el 30/10/2026
Cinta cortada
$0.364
$0.163
$0.14
$0.104
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$0.055
Min.: 1
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: 8,000
Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
22,079En existencias
416,000Se espera el 30/10/2026
Cinta cortada
$0.494
$0.22
$0.192
$0.143
Envase tipo carrete
$0.079
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: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms 5 V 350 mV 1.23 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
27,909En existencias
Cinta cortada
$0.845
$0.381
$0.334
$0.30
Envase tipo carrete
$0.203
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: 3,000
Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.5 A, 1.6 A 247 mOhms, 430 mOhms - 8 V, 10 V 300 mV, 350 mV 7.5 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS 59,977En existencias
393,000En pedido
Cinta cortada
$0.546
$0.339
$0.212
$0.157
Envase tipo carrete
$0.122
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 61,852En existencias
Cinta cortada
$0.494
$0.22
$0.192
$0.143
Envase tipo carrete
$0.116
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: 4,000
Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V
37,011En existencias
Cinta cortada
$0.832
$0.377
$0.332
$0.251
Envase tipo carrete
$0.19
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 226 mOhms 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 17,233En existencias
Cinta cortada
$0.338
$0.148
$0.129
$0.095
Envase tipo carrete
$0.068
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Min.: 1
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: 3,000
Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 44,122En existencias
69,000Se espera el 11/01/2027
Cinta cortada
$0.299
$0.133
$0.116
$0.085
Envase tipo carrete
$0.061
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
12,172En existencias
21,000Se espera el 11/01/2027
Cinta cortada
$0.364
$0.163
$0.14
$0.104
Envase tipo carrete
$0.075
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
11,786En existencias
Cinta cortada
$0.702
$0.315
$0.276
$0.208
Envase tipo carrete
$0.187
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 123 mOhms 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 17,183En existencias
Cinta cortada
$0.364
$0.163
$0.142
$0.104
Envase tipo carrete
$0.062
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 3,049En existencias
42,000En pedido
Cinta cortada
$0.39
$0.221
$0.135
$0.098
Envase tipo carrete
$0.074
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 30,566En existencias
144,000En pedido
Cinta cortada
$0.299
$0.127
$0.112
$0.082
Ver
Envase tipo carrete
$0.043
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 24,124En existencias
Cinta cortada
$0.351
$0.153
$0.133
$0.098
Envase tipo carrete
$0.07
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 5.6 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF 20,491En existencias
16,000En pedido
Cinta cortada
$0.351
$0.153
$0.133
$0.098
Ver
Envase tipo carrete
$0.052
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package
5,625En existencias
Cinta cortada
$0.845
$0.381
$0.334
$0.252
Envase tipo carrete
$0.242
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 73 mOhms 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
3,903En existencias
Cinta cortada
$0.845
$0.381
$0.334
$0.252
Envase tipo carrete
$0.242
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel