Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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IPA60R170CFD7XKSA1

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IPB60R070CFD7ATMA1

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IPP65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R041CFD7XKS

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Infineon Technologies
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IPB60R040CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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$12.56

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD60R145CFD7ATMA1

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3,163En existencias

Cinta cortada

$4.98

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Envase tipo carrete

$1.87

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IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

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421En existencias

$12.36

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$6.86

$5.79

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Tube

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IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.35
1,405En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R105CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R105CFD7ATM

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1,405En existencias

Cinta cortada

$7.35

$3.84

$3.50

$3.15

Envase tipo carrete

$2.96

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

21 A

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IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
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2,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R170CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM

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$4.52

$2.29

$2.11

$1.70

Envase tipo carrete

$1.46

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.62
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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800En existencias

$9.62

$5.16

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.72
642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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642En existencias

$8.72

$5.72

$4.37

$3.73

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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IPT60R045CFD7XTMA1

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577En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $25.31
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A
52 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
66 mOhms
70 mOhms
75 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
105 mOhms
115 mOhms
125 mOhms
144 mOhms

24 W
26 W
32 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
106 W
124 W
125 W
127 W
140 W
147 W
156 W
160 W
171 W
178 W