MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 de ROHM Semiconductor ofrecen una salida de un solo canal con voltaje de drenaje a fuente de 600 V o 650 V en un paquete TO-220FM-3. Los MOSFET R60/R65 cuentan con una temperatura en funcionamiento de -55° C a 150° C y opciones de disipación de potencia de 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 son ideales para aplicaciones de conmutación.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET
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4,934En existencias
Cinta cortada
$5.16
$2.61
$2.37
$1.95
Envase tipo carrete
$1.82
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: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 66A N-CH MOSFET
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569En existencias
$9.71
$5.08
$4.68
$4.26
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET
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584En existencias
$15.28
$8.39
$8.35
$8.28
$7.74
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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1,869En existencias
$5.76
$2.95
$2.68
$2.20
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET
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974En existencias
$7.03
$3.67
$3.34
$2.99
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 258A N-CH MOSFET
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487En existencias
$16.78
$9.31
$8.75
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 60A N-CH MOSFET
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600En existencias
$9.46
$5.64
$4.81
$4.20
$4.04
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
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$4.23
$2.15
$1.94
$1.57
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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1,608En existencias
$7.61
$3.99
$3.64
$3.11
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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1,966En existencias
$4.65
$2.42
$2.18
$1.78
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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3,941En existencias
$4.99
$2.52
$2.29
$1.87
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
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8,034En existencias
$5.54
$2.87
$2.61
$2.21
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
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2,894En existencias
$6.77
$4.43
$3.32
$2.77
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET
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1,961En existencias
$4.49
$2.29
$2.07
$1.68
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
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1,257En existencias
$4.99
$2.52
$2.29
$1.87
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
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3,933En existencias
$6.33
$3.26
$2.98
$2.44
$2.43
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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2,430En existencias
$9.59
$5.14
$4.71
$4.19
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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674En existencias
$8.11
$4.28
$3.91
$3.38
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4A N-CH MOSFET
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3,803En existencias
$4.30
$2.15
$1.94
$1.57
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 155 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET
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1,970En existencias
$2.74
$1.66
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 11A N-CH MOSFET
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1,938En existencias
$5.66
$2.89
$2.61
$2.22
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 60A N-CH MOSFET
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366En existencias
$6.93
$5.02
$3.74
$3.15
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
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886En existencias
$7.61
$3.99
$3.64
$3.32
$3.08
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,992En existencias
$8.39
$4.45
$4.06
$3.51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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3,955En existencias
$10.04
$5.54
$5.08
$4.59
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Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms 20 V, 30 V 4 V 85 nC - 55 C + 155 C 86 W Enhancement Tube