Resultados: 134
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 850En existencias
$10.13
$5.46
$5.01
$4.55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh 495En existencias
$22.61
$13.04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 30 mOhms 25 V 4 V 200 nC - 55 C + 125 C 400 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II 501En existencias
Cinta cortada
$10.87
$5.89
$5.41
$5.29
Envase tipo carrete
$4.99
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh 1,612En existencias
$6.40
$3.30
$3.00
$2.47
$2.46
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 190 mOhms 30 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp 1,194En existencias
$6.31
$3.99
$3.39
$3.04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 350 mOhms 30 V 3 V 39 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 980En existencias
Cinta cortada
$6.96
$3.61
$3.30
$2.93
Envase tipo carrete
$2.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh 1,749En existencias
$11.45
$6.24
$5.73
$5.38
$5.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 1,220En existencias
$11.05
$6.05
$5.55
$5.17
$5.15
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II 524En existencias
$9.54
$5.11
$4.68
$4.20
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II 633En existencias
$11.71
$6.62
$6.29
$5.93
$5.92
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 158 mOhms 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp 476En existencias
$14.60
$8.19
$8.10
$7.24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V 389En existencias
Cinta cortada
$8.55
$4.54
$4.15
$3.93
Envase tipo carrete
$3.64
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 23 mOhms 25 V 5 V 104 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 2,043En existencias
$5.12
$2.67
$2.41
$1.98
$1.78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 916En existencias
$8.80
$4.56
$4.19
$3.78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp 662En existencias
$17.15
$9.52
$9.11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 120 mOhms 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 1,282En existencias
Cinta cortada
$11.31
$6.15
$5.66
Envase tipo carrete
$5.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 641En existencias
Cinta cortada
$9.69
$5.19
$4.76
$4.54
Envase tipo carrete
$4.29
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1,953En existencias
$9.00
$4.80
$4.38
$3.68
$3.64
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch 830En existencias
$14.86
$8.31
$8.23
$7.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 92 mOhms 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M 566En existencias
$11.31
$8.15
$7.63
$7.58
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31.5 A 105 mOhms 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh 899En existencias
$7.55
$4.10
$3.65
$3.25
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 150 mOhms 25 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II 700En existencias
$7.01
$3.64
$3.32
$2.78
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 280 mOhms 25 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch 1,000En existencias
$8.79
$5.76
$4.24
$3.77
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 162 mOhms 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 1,679En existencias
$8.48
$5.79
$5.08
$5.04
$5.02
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh 1En existencias
2,000Se espera el 28/11/2026
$11.78
$6.33
$5.86
$5.29
$5.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube