Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL308CH6327XTSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

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2 A, 2.3 A

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20 V

1.5 V, 1.6 V

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- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: $0.923
16,323En existencias

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BSS215PH6327XT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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1.2 V

3.6 nC

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
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BSD235CH6327XT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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$0.975

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SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS127IXTSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
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BSS314PEH6327XT

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Infineon Technologies

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BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

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Infineon Technologies
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BSD223PH6327XTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL207SPH6327XTSA1

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1.2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL215CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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36,609En existencias
24,000Se espera el 15/10/2026

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BSL215CH6327XTSA1

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726-BSL215CH6327XTSA

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TSOP-6

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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41,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL316CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$1.09

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$0.257

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TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

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20 V

1.5 V, 1.6 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: $1.72
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BSP125H6433XTMA1

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726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

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$1.72

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$0.709

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$0.42

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SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

20 V

1.9 V

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- 55 C

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1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

BSP295H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.87
11,466En existencias
7,000Se espera el 15/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP295H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP295H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

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11,466En existencias

7,000Se espera el 15/12/2026

Cinta cortada

$1.87

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$0.605

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

1.8 A

220 mOhms

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800 mV

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- 55 C

+ 150 C

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.70
8,785En existencias
21,000Se espera el 28/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP324H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP324H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

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$1.70

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$0.495

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

400 V

170 mA

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20 V

1.9 V

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- 55 C

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1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.455
33,185En existencias
63,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS119NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS119NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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$0.095

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

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20 V

1.3 V

600 pC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.481
114,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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$0.101

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SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

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12 V

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.624
47,754En existencias
3,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS306NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

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$0.624

$0.278

$0.244

$0.182

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

57 mOhms

20 V

1.6 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
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BSS816NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000917562

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

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SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

8 V

550 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
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3,867En existencias
6,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL307SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL307SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

BSP373NH6327XTSA1
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SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

177 mOhms

20 V

2.1 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

2N7002DWH6327XT
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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

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BSD235NH6327XT
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726-BSD235NH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

950 mA

266 mOhms, 415 mOhms

12 V

950 mV

320 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308PEH6327XTSA1
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726-BSL308PEH6327XTS

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TSOP-6

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1.5 V

5 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

BSP88H6327XTSA1
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726-BSP88H6327XTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

240 V

350 mA

4 Ohms

20 V

1 V

6.8 nC

- 55 C

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1.8 W

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
390 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
630 mA
660 mA
950 mA
1.2 A
1.4 A
1.4 A, 1.5 A

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
900 mV, 950 mV
950 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 1.6 V
1.6 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC