Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSL308CH6327XTSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

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2 A, 2.3 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V, 1.6 V

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- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

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- 12 V, 12 V

1.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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$0.592

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TSOP-6

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1 Channel

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4.7 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
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BSD235CH6327XT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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SMD/SMT

SOT-363-6

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2 Channel

20 V

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- 12 V, 12 V

700 mV, 1.2 V

340 pC, 400 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
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BSD235NH6327XT

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2 Channel

20 V

950 mA

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- 12 V, 12 V

950 mV

320 pC

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AEC-Q100

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BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
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BSS314PEH6327XT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSP296NH6327XTSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

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SOT-363-6

P-Channel

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20 V

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500 pC

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AEC-Q100

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BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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30 V

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
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BSP125H6433XTMA1

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SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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7,000Se espera el 15/07/2026

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BSP372NH6327XTSA1

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$0.475

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SOT-223-4

N-Channel

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1.8 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSS816NWH6327XTSA1

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726-SP000917562

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

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Cinta cortada

$0.468

$0.283

$0.198

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$0.109

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.39
2,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL202SNH6327XTSA1

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726-BSL202SNH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

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$1.39

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$0.566

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$0.332

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

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5.8 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.64
1,398En existencias
5,760Se espera el 06/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL307SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL307SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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1,398En existencias

5,760Se espera el 06/08/2026

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$1.64

$1.01

$0.667

$0.524

Envase tipo carrete

$0.397

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.4 nC

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2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $1.92
353En existencias
19,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP324H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP324H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

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353En existencias

19,000En pedido

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$1.92

$1.18

$0.78

$0.614

Envase tipo carrete

$0.524

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

400 V

170 mA

14.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

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- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.533
3,174En existencias
60,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS119NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS119NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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3,174En existencias

60,000En pedido

Cinta cortada

$0.533

$0.365

$0.231

$0.146

Envase tipo carrete

$0.111

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

2.406 Ohms

- 20 V, 20 V

1.3 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS126IXTSA1
Infineon Technologies
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5,095En existencias
3,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS126IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS126IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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5,095En existencias

3,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

$0.481

$0.291

$0.183

$0.137

Envase tipo carrete

$0.10

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

500 Ohms

- 20 V, 20 V

2.7 V

1.4 nC

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+ 150 C

500 mW

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS127IXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.65
8,357En existencias
21,000Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS127IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS127IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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8,357En existencias

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Cinta cortada

$0.65

$0.442

$0.281

$0.177

Envase tipo carrete

$0.133

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

500 Ohms

- 20 V, 20 V

2.6 V

650 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

BSS606NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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9,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS606NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS606NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

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$1.00

$0.623

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: 1,000

SMD/SMT

SOT-89-3

N-Channel

1 Channel

60 V

3.2 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

2N7002DWH6327XT
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
2N7002DWH6327XT

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726-2N7002DWH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

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$0.228

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308PEH6327XTSA1
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

BSP373NH6327XTSA1
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SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

BSP88H6327XTSA1
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SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

240 V

350 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSS123NH6327XTSA1

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726-BSS123NH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
390 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
630 mA
660 mA
950 mA
1.2 A
1.4 A
1.4 A, 1.5 A

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
900 mV, 950 mV
950 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 1.6 V
1.6 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC