Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $7.50 2,767En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST011N06NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST011N06NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,767En existencias	Cinta cortada $7.50 $3.93 $3.59 $3.22 $3.04 Envase tipo carrete $3.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	399 A	1.1 Ohms	20 V	3.3 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.21 1,553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,553En existencias	Cinta cortada $4.21 $2.09 $1.87 $1.56 Ver Envase tipo carrete $1.39 $1.48 $1.39 $1.39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.94 2,738En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,738En existencias	Cinta cortada $4.94 $2.50 $2.26 $1.85 $1.73 Envase tipo carrete $1.73	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.10 4,330En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,330En existencias	Cinta cortada $5.10 $2.59 $2.34 $1.92 $1.81 Envase tipo carrete $1.81	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.54 4,762En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,762En existencias	Cinta cortada $4.54 $2.28 $2.04 $1.68 Ver Envase tipo carrete $1.55 $1.64 $1.55 $1.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $7.06 1,421En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST026N10NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST026N10NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,421En existencias	Cinta cortada $7.06 $3.97 $3.38 $3.08 Envase tipo carrete $3.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	248 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.16 1,661En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT063N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,661En existencias	Cinta cortada $8.16 $4.32 $4.00 $3.69 $3.42 Envase tipo carrete $3.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	122 A	6.3 mOhms	20 V	4.6 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.82 5,095En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,095En existencias	Cinta cortada $4.82 $2.43 $2.17 $1.86 Ver Envase tipo carrete $1.68 $1.78 $1.68 $1.68	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.51 3,933En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,933En existencias	Cinta cortada $3.51 $1.73 $1.59 $1.30 Ver Envase tipo carrete $1.09 $1.20 $1.13 $1.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	137 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package ISC013N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $7.37 7,890En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC013N06NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC013N06NM5SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	7,890En existencias	Cinta cortada $7.37 $3.85 $3.74 $3.33 Ver Envase tipo carrete $2.67 $3.21 $2.67 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	276 A	1.3 mOhms	20 V	3.3 V	90 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.42 4,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,000En existencias	Cinta cortada $3.42 $1.68 $1.51 $1.20 Ver Envase tipo carrete $1.05 $1.18 $1.14 $1.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.97 3,524En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC015N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,524En existencias	Cinta cortada $3.97 $1.98 $1.78 $1.43 Ver Envase tipo carrete $1.29 $1.39 $1.37 $1.29	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	259 A	1.5 mOhms	20 V	3.3 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPT009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.32 4,019En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT009N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,019En existencias	Cinta cortada $8.32 $4.39 $4.02 $3.91 $3.78 Envase tipo carrete $3.50	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	60 V	427 A	1.2 mOhms	20 V	2.8 V	171 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: $7.75 3,144En existencias 9,000Se espera el 29/10/2026	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,144En existencias 9,000Se espera el 29/10/2026	Cinta cortada $7.75 $4.88 $3.74 $3.39 Envase tipo carrete $2.95	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies 1: $8.83 5,212En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT008N06NM5LFATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT008N06NM5LFAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,212En existencias	Cinta cortada $8.83 $4.69 $4.29 $4.02 $3.78 Envase tipo carrete $3.78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	454 A	800 uOhms	20 V	3.6 V	185 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.69 5,063En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC120N06S5L022ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5L022	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,063En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada $3.69 $1.83 $1.63 $1.33 Ver Envase tipo carrete $1.09 $1.25 $1.22 $1.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	170 A	2.2 mOhms	20 V	1.7 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 IAUC120N06S5N032ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.87 2,405En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC120N06S5N032ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5N032	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,405En existencias	Cinta cortada $2.87 $1.39 $1.24 $0.988 Ver Envase tipo carrete $0.827 $0.95 $0.917 $0.827 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	3.23 mOhms	20 V	2.8 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.85 2,474En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTC012N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC012N06NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,474En existencias	Cinta cortada $5.85 $3.86 $3.32 Envase tipo carrete $3.32 $2.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	60 V	311 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $8.28 2,753En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQD020N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD020N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,753En existencias	Cinta cortada $8.28 $4.38 $4.00 $3.69 $3.48 Envase tipo carrete $3.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	273 A	2.05 mOhms	20 V	3.8 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.68 6,909En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,909En existencias	Cinta cortada $3.68 $2.38 $1.64 $1.31 Envase tipo carrete $1.31 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.72 2,770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,770En existencias	Cinta cortada $3.72 $1.83 $1.65 $1.34 Ver Envase tipo carrete $1.04 $1.28 $1.24 $1.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A	2.2 mOhms	20 V	2.3 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.51 4,268En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,268En existencias	Cinta cortada $4.51 $2.26 $2.04 $1.66 Ver Envase tipo carrete $1.53 $1.64 $1.59 $1.53	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.68 3,187En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM5LF2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM5LF2A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,187En existencias 5,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada $5.68 $2.91 $2.64 $2.22 Envase tipo carrete $2.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	198 A	2.55 mOhms	20 V	3.9 V		- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies 1: $6.83 3,195En existencias 9,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,195En existencias 9,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada $6.83 $3.55 $3.22 $2.85 Envase tipo carrete $2.69	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies 1: $3.04 31,602En existencias 30,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC010N04LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	31,602En existencias 30,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada $3.04 $1.48 $1.33 $1.05 Envase tipo carrete $0.894 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1 mOhms	20 V	1.2 V	133 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel