Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications IAUCN04S7N010GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.96 3,390En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N010GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N010GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	3,390En existencias	Cinta cortada $2.96 $1.66 $1.26 $1.02 Ver Envase tipo carrete $0.893 $1.01 $0.893 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-THSOG-4-1	N-Channel	1 Channel	40 V	252 A	1.04 mOhms	20 V	3 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L018DATMA1 Infineon Technologies 1: $3.93 795En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L018DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L018DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	795En existencias	Cinta cortada $3.93 $1.95 $1.76 $1.42 Ver Envase tipo carrete $1.27 $1.38 $1.35 $1.27	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	166 A	2.36 mOhms	16 V	1.8 V\	43 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L024DATMA1 Infineon Technologies 1: $3.34 758En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L024DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L024DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	758En existencias	Cinta cortada $3.34 $1.64 $1.47 $1.18 Ver Envase tipo carrete $1.02 $1.15 $1.11 $1.02	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	125 A	3.26 mOhms	16 V	1.8 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	72 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L038DATMA1 Infineon Technologies 1: $2.99 599En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L038DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L038DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	599En existencias	Cinta cortada $2.99 $1.28 $1.15 $0.909 Ver Envase tipo carrete $0.746 $0.887 $0.819 $0.746	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	84 A	5.54 mOhms	16 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	51 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7L042GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.86 1,976En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L042GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L042GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,976En existencias	Cinta cortada $1.86 $0.868 $0.772 $0.602 Envase tipo carrete $0.451 Ver $0.592 $0.566 $0.404 $0.403	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	77 A	4.4 mOhms	20 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N015GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.48 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N015GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N015GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada $2.48 $1.19 $1.06 $0.839 Ver Envase tipo carrete $0.677 $0.811 $0.774 $0.677	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	184 A	1.53 mOhms	20 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N019GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.25 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N019GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N019GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada $2.25 $1.07 $0.954 $0.75 Ver Envase tipo carrete $0.59 $0.716 $0.684 $0.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	147 A	1.95 mOhms	20 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	81 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.12 1,984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N027GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N027GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	Cinta cortada $2.12 $1.00 $0.892 $0.699 $0.67 Envase tipo carrete $0.542	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	117 A	2.67 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N037GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.94 1,992En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N037GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N037GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,992En existencias	Cinta cortada $1.94 $0.911 $0.811 $0.634 Ver Envase tipo carrete $0.48 $0.631 $0.599 $0.48	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	91 A	3.65 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N047GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.86 1,912En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N047GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N047GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1,912En existencias	Cinta cortada $1.86 $0.868 $0.772 $0.602 Envase tipo carrete $0.451 Ver $0.592 $0.572 $0.445	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	79 A	4.7 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N003ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.50 311En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N003ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N003ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	311En existencias	Cinta cortada $9.50 $5.08 $4.67 $4.43 $4.21 Envase tipo carrete $3.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	905 A	0.29 mOhms	20 V	3 V	268 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N004ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.55 311En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N004ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N004ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	311En existencias	Cinta cortada $7.55 $3.95 $3.61 $3.26 $3.15 Envase tipo carrete $2.65	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	605 A	0.38 mOhms	20 V	3 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	255 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.54 350En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N005ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N005ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	350En existencias	Cinta cortada $7.54 $4.28 $3.69 $2.87 Envase tipo carrete $2.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	517 A	0.44 mOhms	20 V	3 V	127 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies 1: $5.07 12,599En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N006TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N006TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	12,599En existencias	Cinta cortada $5.07 $2.56 $2.33 $1.91 Envase tipo carrete $1.79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-3	N-Channel	1 Channel	40 V	425 A	770 uOhms	20 V	3 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L023HATMA1 Infineon Technologies 1: $3.42 7,370En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L023HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L023HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	7,370En existencias	Cinta cortada $3.42 $1.68 $1.51 $1.20 Ver Envase tipo carrete $1.05 $1.15 $1.09 $1.05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	132 A	2.34 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L025AHATMA1 Infineon Technologies 1: $3.08 5,879En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L025AHATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L025AHA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5,879En existencias	Cinta cortada $3.08 $1.50 $1.34 $1.07 Ver Envase tipo carrete $0.907 $1.04 $0.945 $0.907	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	127 A	2.56 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7N024HATMA1 Infineon Technologies 1: $3.56 10,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N024HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N024HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	10,000En existencias	Cinta cortada $3.56 $1.78 $1.56 $1.28 Ver Envase tipo carrete $1.03 $1.21 $1.17 $1.03	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	129 A	2.46 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N054HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.51 5,778En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N054HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N054HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5,778En existencias	Cinta cortada $2.51 $1.20 $1.07 $0.845 Ver Envase tipo carrete $0.675 $0.819 $0.78 $0.675	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	62 A	5.41 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7L012ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.61 4,768En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L012ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L012ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	4,768En existencias	Cinta cortada $2.61 $1.25 $1.12 $0.949 Ver Envase tipo carrete $0.723 $0.904 $0.898 $0.723	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	199 A	1.25 mOhms	16 V	1.8 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology IAUZN04S7L046ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.79 43,635En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L046ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L046ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	43,635En existencias	Cinta cortada $1.79 $0.837 $0.742 $0.577 Envase tipo carrete $0.419 Ver $0.547 $0.52 $0.398	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7N032ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.89 4,993En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7N032ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7N032ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	4,993En existencias	Cinta cortada $1.89 $0.883 $0.785 $0.612 Envase tipo carrete $0.459 Ver $0.605 $0.593 $0.412	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	97 A	3.25 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	58 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology IAUZN04S7N049ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.69 9,569En existencias 68Se espera el 18/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7N049ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7N049ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	9,569En existencias 68Se espera el 18/11/2026	Cinta cortada $1.69 $0.789 $0.701 $0.545 Envase tipo carrete $0.419 Ver $0.533 $0.506 $0.393	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7L050HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.51 2,389En existencias 5,000Se espera el 23/04/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L050HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L050HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	2,389En existencias 5,000Se espera el 23/04/2027	Cinta cortada $2.51 $1.60 $1.07 $0.845 $0.723 Envase tipo carrete $0.675	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	65 A	5.04 mOhms	20 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N040HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.80 927En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N040HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N040HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	927En existencias	Cinta cortada $2.80 $1.35 $1.21 $0.959 Ver Envase tipo carrete $0.797 $0.919 $0.888 $0.797	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	82 A	4.01 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	52 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7L019ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.31 878En existencias 5,000Se espera el 03/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L019ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L019ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	878En existencias 5,000Se espera el 03/12/2026	Cinta cortada $2.31 $1.10 $0.984 $0.775 Ver Envase tipo carrete $0.615 $0.738 $0.675 $0.615	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	154 A	1.9 mOhms	16 V	1.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape