Memoria RAM magnetorresistiva

Resultados: 658
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta Tipo de interfaz Tamaño de memoria Organización Ancho de bus de datos Tiempo de acceso Voltaje de alimentación - Mín. Voltaje de alimentación - Máx. Corriente de suministro operativa Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva 17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 3.3V 32Mb Memoria RAM magnetorresistiva with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
100Se espera el 04/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
95Se espera el 04/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
100Se espera el 04/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
470Se espera el 08/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
90Se espera el 04/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
994Se espera el 15/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
270Se espera el 25/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics Memoria RAM magnetorresistiva M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ Memoria RAM magnetorresistiva Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
Carrete: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C No en existencias
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
Carrete: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C No en existencias
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray