Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY
Hoja de datos
7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
Hoja de datos
79En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 84 A 31 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V - 55 C + 175 C 321 W Tube
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY
Hoja de datos
19En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 100 A 11.3 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 150 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies Módulos MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
36En existencias
48Se espera el 13/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Vishay Semiconductors Módulos MOSFET 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod
Hoja de datos
489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 200 V 287 A 4.7 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 937 W
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Hoja de datos
71En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Hoja de datos
94En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
onsemi NXV08H400XT1
onsemi Módulos MOSFET APM17-MDC MV7 80V ALN
Hoja de datos
34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si NXV08H400XT1 Tube
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
Hoja de datos
35En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Hoja de datos
8En existencias
28Se espera el 25/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET Linear 500 V 52 A SOT-227
Hoja de datos
69En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 90 mOhms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 568 W Tube
Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET MOS7 1000 V 45 Ohm SOT-227
Hoja de datos
168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 21 A 450 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 460 W Tube
Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-5-SOT227
Hoja de datos
51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 11 mOhms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 450 W Tube
Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
Hoja de datos
2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module 1.7 kV 676 A 2.9 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 3 kW
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY PACK SIC
Hoja de datos
47En existencias
48Se espera el 14/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 10 V, + 20 V - 40 C + 150 C CoolSiC Module Tray
IXYS Módulos MOSFET 500V 100A
Hoja de datos
364En existencias
300Se espera el 25/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 90 A 49 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW IXFN100N50 Tube
IXYS Módulos MOSFET 650V/78A miniBLOC SOT-227
Hoja de datos
166En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 30 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 595 W 650V Ultra Junction X2 Tube
IXYS Módulos MOSFET 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
Hoja de datos
157En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 110 A 33 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.17 kW HiPerFET Tube
IXYS Módulos MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
Hoja de datos
320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 115 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 680 W IXFN140N20 Tube