DMP25 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC 1,284En existencias
9,000En pedido
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Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 250 V 260 mA 10 Ohms - 40 V, 40 V 500 mV 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-E-6 P-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel