Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

ROHM Semiconductor 600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs utilize original patented technology to accelerate the parasitic diode, achieving ultra-fast reverse recovery characteristics to achieve low power consumption. The PrestoMOS design enables a reduction in power loss of about 58% at light loads when compared with IGBT implementations. Additionally, raising the reference voltage needed to turn ON the MOSFET prevents self-turn-ON, which is one of the main causes of loss. The optimized built-in parasitic diode improves the soft recovery index specific to Super Junction MOSFETs, which reduces noise that can lead to malfunction.

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Resultados: 14

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $2.37
1,904En existencias

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R6013VNXC7G

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755-R6013VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 39A N-CH MOSFET

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$2.37

$2.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

R6013VND3TL1
ROHM Semiconductor
1: $2.83
5,057En existencias

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R6013VND3TL1

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755-R6013VND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 39A N-CH MOSFET

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Cinta cortada

$2.83

$2.16

$1.91

$1.85

$1.79

Envase tipo carrete

$1.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

R6018VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $5.23
1,963En existencias

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R6018VNXC7G

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755-R6018VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 10A N-CH MOSFET

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1,963En existencias

$5.23

$2.76

$2.50

$2.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

204 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

61 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $4.69
1,943En existencias

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R6035VNXC7G

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755-R6035VNXC7G

ROHM Semiconductor

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$4.69

$3.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

R6014YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $4.29
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R6014YNXC7G

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755-R6014YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 42A N-CH MOSFET

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$4.29

$2.59

$2.24

$2.12

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: $10.05
1,113En existencias

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R6055VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 165A N-CH MOSFET

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$10.05

$9.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

55 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

543 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

R6077VNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: $18.81
1,190En existencias

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R6077VNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 231A N-CH MOSFET

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1,190En existencias

$18.81

$11.65

$11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

77 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

781 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $5.81
2,042En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6055VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 165A N-CH MOSFET

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2,042En existencias

$5.81

$5.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: $7.59
2,003En existencias

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R6024VNX3C16

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755-R6024VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

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2,003En existencias

$7.59

$4.12

$3.76

$3.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

153 mOhms

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6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

R6024VNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $6.63
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R6024VNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6024VNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 72A N-CH MOSFET

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1,969En existencias

$6.63

$3.69

$3.33

$3.07

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Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

153 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

R6077VNZC17
ROHM Semiconductor
1: $12.47
720En existencias

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R6077VNZC17

N.º de artículo de Mouser
755-R6077VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover

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$12.47

$10.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

51 Ohms

- 30 V, 30 V

6.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

R6055VNZC17
ROHM Semiconductor
1: $8.65
567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6055VNZC17

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755-R6055VNZC17

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 165A N-CH MOSFET

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$8.65

$8.11

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Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

71 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

99 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

R6020YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: $3.94
2,029En existencias

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R6020YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6020YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET

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2,029En existencias

$3.94

$2.21

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

185 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

R6035VNX3C16
ROHM Semiconductor
1: $9.63
1,000Se espera el 09/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
R6035VNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6035VNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 105A N-CH MOSFET

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1,000Se espera el 09/07/2026

$9.63

$5.27

$4.82

$4.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

114 mOhms

- 30 V, 30 V

6.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

347 W

Enhancement

Tube

600V 4th Gen PrestoMOS™ Super Junction MOSFETs

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