Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (R_DS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (C_iss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (C_OSS) lowers the output charge (Q_OSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

TK2R4E08QM,S1X
Toshiba
1: $7.46
894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2R4E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R4E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

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$7.46

$3.97

$3.46

$3.04

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

178 nC

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

TK5R3E08QM,S1X
Toshiba
1: $3.73
5,576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R3E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R3E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

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$3.73

$1.81

$1.39

$1.23

$1.17

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

55 nC

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

TPH3R10AQM,LQ
Toshiba
1: $3.35
8,699En existencias
10,000Se espera el 16/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R10AQM,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R10AQMLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

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8,699En existencias

10,000Se espera el 16/06/2026

Cinta cortada

$3.35

$2.16

$1.48

$1.18

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Envase tipo carrete

$1.02

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

TK5R1A08QM,S4X
Toshiba
1: $3.48
263En existencias

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TK5R1A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

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$1.72

$1.57

$1.20

$1.07

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Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

70 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

54 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm

TK6R8A08QM,S4X
Toshiba
1: $2.93
388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6R8A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R8A08QMS4X

Toshiba

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$2.93

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Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

58 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm

TK7R0E08QM,S1X
Toshiba
1: $3.04
435En existencias

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TK7R0E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R0E08QMS1X

Toshiba

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$1.48

$1.27

$1.16

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

87 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

TK5R1P08QM,RQ
Toshiba
1: $3.26
4,935Se espera el 23/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK5R1P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1P08QMRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

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4,935Se espera el 23/09/2026

Cinta cortada

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$2.09

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Envase tipo carrete

$0.976

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

84 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm

TK6R9P08QM,RQ
Toshiba
1: $2.73
9,979En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK6R9P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R9P08QMRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm

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Cinta cortada

$2.73

$1.76

$1.18

$0.948

$0.859

Envase tipo carrete

$0.771

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

62 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

TK3R3E08QM,S1X
Toshiba
1: $5.03
250Se espera el 16/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R3E08QM,S1X

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757-TK3R3E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

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$5.03

$2.55

$2.29

$1.87

$1.76

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

110 nC

+ 175 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

TK3R2A08QM,S4X
Toshiba
1: $4.73
150Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R2A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R2A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

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$4.73

$2.38

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

92 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

102 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm

TK2R4A08QM,S4X
Toshiba
1: $5.89
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TK2R4A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R4A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm

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$5.89

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

179 nC

+ 175 C

47 W

Enhancement

Tube

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