Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
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1: $4.86
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1,500Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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Cinta cortada

$4.86

$3.19

$2.24

$1.98

$1.85

Envase tipo carrete

$1.85

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: $3.89
4,500En existencias
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NTMFS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N04XMT1G

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Cinta cortada

$3.89

$2.54

$1.76

$1.46

$1.37

Envase tipo carrete

$1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: $2.95
2,158En existencias

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863-NTMFS1D1N04XMT1G

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Cinta cortada

$2.95

$1.90

$1.29

$1.03

$0.93

Envase tipo carrete

$0.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: $2.51
6,718En existencias

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NTMFS1D3N04XMT1G

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863-NTMFS1D3N04XMT1G

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Cinta cortada

$2.51

$1.64

$1.10

$0.936

$0.781

Envase tipo carrete

$0.744

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
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NTMFS2D3N04XMT1G

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863-NTMFS2D3N04XMT1G

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Cinta cortada

$2.05

$1.31

$0.868

$0.684

$0.594

Envase tipo carrete

$0.572

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
1: $3.12
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12,000En pedido

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NTMFS0D7N04XMT1G

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863-NTMFS0D7N04XMT1G

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188En existencias

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Cinta cortada

$3.12

$2.00

$1.37

$1.12

$0.988

Envase tipo carrete

$0.988

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

72.1 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS3D1N04XMT1G
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1: $1.73
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NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

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Cinta cortada

$1.73

$1.09

$0.72

$0.563

$0.489

Envase tipo carrete

$0.489

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: $4.17
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N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N04XMT1G

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$4.17

$2.72

$2.07

$1.61

$1.51

Envase tipo carrete

$1.51

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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