1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Serie Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 6 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW CoolSiC Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Press Fit N-Channel 1.2 kV 40 A - 10 V, 23 V 5.15 V 20 mW EasyPACK 2B Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies Módulos MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray