SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Resultados: 36
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
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12,886En existencias
9,000Se espera el 31/07/2026
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Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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245,963En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
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50,024En existencias
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Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
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129,013En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
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62,761En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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177,789En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
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25,527En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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304,453En existencias
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Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
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7,408En existencias
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Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V
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5,974En existencias
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Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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21,255En existencias
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Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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25,151En existencias
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Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
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25,989En existencias
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Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
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19,967En existencias
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Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
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7,347En existencias
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
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988En existencias
9,000Se espera el 10/04/2026
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
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6,829En existencias
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
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1,449En existencias
6,000Se espera el 26/03/2026
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Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
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3,088En existencias
6,000Se espera el 10/03/2026
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 43 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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8,951En existencias
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Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
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716En existencias
6,000En pedido
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Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
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2,068En existencias
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Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V
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22,500En existencias
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Carrete: 10,000

Si SMD/SMT SOT-883-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 4.3 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET
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9,961En existencias
10,000Se espera el 10/03/2026
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Min.: 1
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Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 4 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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760En existencias
87,000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel