Tipos de Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds 1,593En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 2A N-CH POLAR 298En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds 255En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds 447En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds 394En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds 4,629En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 307En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 P-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds 113En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET 18En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds 259En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.8 Amps 1200V 25 Rds 420En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 299En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 329En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds 553En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds 287En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 2KV 6A N-CH HIVOLT 194En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds 184En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR 3,827En existencias
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Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA26P20P TRL 3,684En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA06N120P TRL 721En existencias
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Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds 480En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds 380En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 P-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds 292En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT 278En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250V 0.024 Rds 1,202En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel