Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon Technologies 100V to 150V StrongIRFET™ Power MOSFETs are optimized for low on-resistance (R_DS(on)) and high current capability. These devices offer an R_DS(on) as low as 1.3mΩ at 100V and a current handling capability as high as 209A at 100V. These features result in reduced conduction losses and increased power density while still accommodating legacy designs. The StrongIRFET Power MOSFETs are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications, including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

AUIRFP4568
Infineon Technologies
1: $19.66
1,323En existencias

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AUIRFP4568

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942-AUIRFP4568

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

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$19.66

$12.58

$12.19

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

4.8 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4110PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $5.20
2,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4110PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4110PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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$5.20

$3.00

$2.46

$2.12

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4568PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $7.75
644En existencias

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IRFP4568PBFXKMA1

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726-IRFP4568PBFXKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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$7.75

$4.58

$3.80

$3.78

$3.64

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

151 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $7.36
5,418En existencias

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IRFP4468PBFXKMA1

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726-IRFP4468PBFXKMA1

Infineon Technologies

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$7.36

$4.28

$3.55

$3.35

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

290 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

360 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P219AKMA1
Infineon Technologies
1: $7.16
2,280En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IRF100P219AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF100P219AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$7.16

$4.16

$3.45

$3.24

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

203 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P220AKMA1
Infineon Technologies
1: $11.96
2,523En existencias

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IRF150P220AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF150P220AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$11.96

$7.22

$6.38

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Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

150 V

203 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

IRFP3710PBF
Infineon Technologies
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IRFP3710PBF

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942-IRFP3710PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

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$2.37

$2.03

$1.92

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

51 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

66.7 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P218AKMA1
Infineon Technologies
1: $9.80
1En existencias
5,200Se espera el 24/12/2026

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IRF100P218AKMA1

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726-IRF100P218AKMA1

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5,200Se espera el 24/12/2026

$9.80

$5.82

$4.91

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

209 A

1.28 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P221AKMA1
Infineon Technologies
1: $8.63
126En existencias
800En pedido

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IRF150P221AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF150P221AKMA1

Infineon Technologies

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$8.63

$5.08

$4.24

$4.15

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

186 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies
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380Se espera el 08/04/2026

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IRFP4310ZPBFXKMA1

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726-IRFP4310ZPBFXKMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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380Se espera el 08/04/2026

$3.76

$2.08

$1.64

$1.30

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TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

AUIRFP4568-E
Infineon Technologies
1: $16.39
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
AUIRFP4568-E

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRFP4568-E

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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

$16.39

$10.15

$10.14

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

5.9 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

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