Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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N-Channel
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60 V
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N-Channel
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100 V
110 A
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- 20 V, 20 V
3.8 V
51 nC
- 55 C
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150 W
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10
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100
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
185 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
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1
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10
$1.59
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
193 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.4 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
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$2.60
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$1.25
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$0.853
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
119 A
3.05 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
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$5.68
10
$2.93
100
$2.67
500
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Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
100 V
83 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
154 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
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IPP019N08NF2SAKMA1
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1
$4.77
10
$1.94
100
$1.87
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
191 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
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IPP013N04NF2SAKMA1
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1,000 Se espera el 23/03/2026
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726-IPP013N04NF2SAKM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
1,000 En existencias
1,000 Se espera el 23/03/2026
1
$3.97
10
$1.99
100
$1.74
500
$1.46
1,000
$1.42
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
197 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.4 V
159 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP040N06NF2SAKMA1
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726-IPP040N06NF2SAKM
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2,238 En existencias
1
$2.34
10
$1.12
100
$1.00
500
$0.792
1,000
Ver
1,000
$0.724
2,000
$0.711
5,000
$0.703
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Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
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IPP014N06NF2SAKMA2
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1:
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1,000 Se espera el 28/04/2026
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726-P014N06NF2SAKMA2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
103 En existencias
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1
$6.14
10
$3.67
100
$3.17
500
$2.50
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Mult.: 1
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
198 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
203 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPP026N10NF2SAKMA1
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1:
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726-IPP026N10NF2SAKM
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1,716 En existencias
1
$5.42
10
$2.98
100
$2.70
500
$2.42
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Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
184 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
103 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPA082N10NF2SXKSA1
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726-IPA082N10NF2SXKS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
564 En existencias
1
$2.89
10
$1.40
100
$1.30
500
$1.08
1,000
$0.939
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
100 V
46 A
8.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
35 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPP011N04NF2SAKMA1
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1:
$4.52
22 En existencias
4,000 Se espera el 26/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
22 En existencias
4,000 Se espera el 26/03/2026
1
$4.52
10
$2.29
100
$2.07
500
$1.74
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Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
201 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
3.4 V
210 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP024N08NF2SAKMA1
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1:
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726-IPP024N08NF2SAKM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
997 En existencias
1
$4.55
10
$2.30
100
$2.15
500
$1.79
1,000
$1.76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
182 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP040N08NF2SAKMA1
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1:
$4.03
1,103 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
1,103 En existencias
1
$4.03
10
$2.30
100
$1.92
500
$1.61
1,000
$1.40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
80 V
115 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.83
927 En existencias
1,000 Se espera el 23/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
927 En existencias
1,000 Se espera el 23/03/2026
1
$2.83
10
$1.66
100
$1.27
500
$1.09
1,000
$0.923
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
100 V
77 A
8.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.43
981 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
981 En existencias
1
$2.43
10
$1.17
100
$1.05
500
$0.828
1,000
Ver
1,000
$0.758
2,000
$0.742
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Mult.: 1
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
100 V
52 A
12.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$5.85
2,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
2,000 En pedido
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En pedido:
1,000 Se espera el 18/06/2026
1,000 Se espera el 02/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
1
$5.85
10
$3.02
100
$2.74
500
$2.46
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
80 V
196 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$3.25
1,000 Se espera el 27/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
1,000 Se espera el 27/03/2026
1
$3.25
10
$1.60
100
$1.44
500
$1.15
1,000
$1.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel
1 Channel
80 V
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5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
36 nC
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