STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II
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5,822En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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887En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
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32,276En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
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16,255En existencias
27,500Se espera el 23/03/2026
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Darlington Transistors SMD/SMT SOIC-16 NPN

STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
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77,431En existencias
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Carrete: 2,500

Darlington Transistors SMD/SMT SOIC-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
Hoja de datos
1,915En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
Hoja de datos
2,929En existencias
5,000En pedido
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
Hoja de datos
13,983En existencias
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Darlington Transistors SMD/SMT SOIC-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven Darlington array
Hoja de datos
9,771En existencias
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Darlington Transistors SMD/SMT SOIC-Narrow-16
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
Hoja de datos
10,580En existencias
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Min.: 1
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Darlington Transistors SMD/SMT SOIC-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
Hoja de datos
1,340En existencias
2,000Se espera el 30/04/2026
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
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142En existencias
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Carrete: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
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85En existencias
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Carrete: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
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73En existencias
1,200Se espera el 04/05/2026
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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45En existencias
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MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
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775En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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324En existencias
2,500Se espera el 17/08/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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816En existencias
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Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
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2,485En existencias
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Carrete: 2,500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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461En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
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573En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
Hoja de datos
519En existencias
600Se espera el 22/06/2026
Min.: 1
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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293En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
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2,940En existencias
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8
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401En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel