Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 245
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 52,537En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7.6 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 54,344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 96.3 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A 1,271En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 163 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95.4 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 17,398En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-UX-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 18.9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 2,579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2,942En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 2 Channel 60 V 47.6 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 40.2 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A 8,940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 41.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V 5,071En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V 23,054En existencias
5,000Se espera el 18/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 68.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 53.7 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 34,377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 14.1 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 3,404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 7,066En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 123 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W 10,914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 59 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 4,749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 11.76 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A 3,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 4,171En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 52.7 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2,729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 3,862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 29.5 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 9,551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 11.5 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K 56,984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.4 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV 22.2 nC - 55 C + 150 C 13.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A 7,255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 3,154En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16.3 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38.1 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,024En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124.3 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube