Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motors offer improved performance, longer lifetime, reduced noise, and greater ease of use when compared to equivalent mechanical solutions. MOSFETs within the BLDC Motor Systems are typically configured in a three-phase bridge arrangement to drive the DC motor. The MOSFETs must be capable of handling start-up and stalled motor currents of up to six times the continuous current rating of the motor. The Diodes Incorporated BLDC Motors are extensively used in automotive applications such as fuel pumps, water pumps, and Anti-Lock Braking Systems (ABS), and provide additional torque for power steering systems.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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7,495En existencias
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: 3,000


Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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4,900En existencias
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Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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8,892En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
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18,892En existencias
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: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
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4,015En existencias
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Máx.: 120
: 2,500

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA
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17,993En existencias
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Máx.: 160
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf
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24,674En existencias
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Máx.: 260
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA
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19,128En existencias
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Máx.: 600
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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92,672En existencias
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Máx.: 1,030
: 2,500

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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10,415En existencias
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Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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6,779En existencias
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: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
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38,745En existencias
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Máx.: 1,310
: 5,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
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17,882En existencias
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Máx.: 880
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
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75,282En existencias
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: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA
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7,517En existencias
6,000Se espera el 12/03/2027
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: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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5,260En existencias
5,000Se espera el 12/02/2027
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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154,868En existencias
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Máx.: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
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9,607En existencias
24,000Se espera el 21/01/2027
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: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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10,759En existencias
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Máx.: 270
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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89,305En existencias
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Máx.: 1,840
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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4,113En existencias
2,500Se espera el 21/04/2027
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Máx.: 320
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky SBR Diode
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14,755En existencias
12,000Se espera el 19/03/2027
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Máx.: 980
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3A SBR 60Vrrm 3A 0.62Vf 100Ir
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48,228En existencias
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Máx.: 2,740
: 3,000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HV Hall Effect Latch 3 to 28V 8kV 3mA
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980En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
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2,218En existencias
192,000En pedido
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Máx.: 9,000
: 3,000