Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 450
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL 1,448En existencias
Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL 1,069En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM 67,624En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 8,807En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms 6,837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 25,406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 22.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION 4,385En existencias
Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 554.5 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 245.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO 4,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 422 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 143 nC - 55 C + 175 C 284 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 16,878En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 4,527En existencias
4,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 10,243En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA 1,450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 30 V 409 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 147 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH 15,386En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 21.7 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK 2,994En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN 1,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH 2,239En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 102 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL 11,763En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK 3,446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 101 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.3 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1,415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 2,176En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 13,882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 1,943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 9,941En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK 2,256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 163 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80.6 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel