Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 612,145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 74,859En existencias
15,000Se espera el 19/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 60,250En existencias
126,000Se espera el 19/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 26,110En existencias
36,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 42,834En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 16,539En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 85,274En existencias
27,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 48,981En existencias
30,000Se espera el 19/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5,484En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 4,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 6,744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 1,177En existencias
9,000Se espera el 12/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet 2,376En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 8,903En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
104,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
4,969En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
15,033Se espera el 09/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-323
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 6,000
: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT USC-2