Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CA3509M4-C2B
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Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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Circuitos integrados de interruptores de RF BULK - Medium Power Wideband RF SPDT Switch
CEL CG2415X3
CG2415X3
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Circuitos integrados de interruptores de RF BULK - Medium Power Wideband RF SPDT Switch
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Herramientas de desarrollo multiprotocolo Dual-Band Wi-Fi 6 BT5.4 802.15.4 Module Eval Board
CMP4612-2-EVB
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Herramientas de desarrollo multiprotocolo Dual-Band Wi-Fi 6 BT5.4 802.15.4 Module Eval Board
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-6000MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2409X3-C2
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Herramientas de desarrollo multiprotocolo Eval Board 4020
CMP4020-1-EVB
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Herramientas de desarrollo multiprotocolo Eval Board 4020
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Circuitos integrados de interruptores de RF 2.5 and 6GHz DPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2164X3-C2
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Circuitos integrados de interruptores de RF 2.5 and 6GHz DPDT 802.11a/b/g/n/ac
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Circuitos integrados de interruptores de RF 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
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CG2179M2-C4
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Circuitos integrados de interruptores de RF 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
CG2214M6-C2
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Circuitos integrados de interruptores de RF 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1
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Herramientas de desarrollo de antenas 920MHz antenna eval board
RAC00915-EVB
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Herramientas de desarrollo de antenas 920MHz antenna eval board
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4-C2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CA3509M4
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Circuitos integrados de interruptores de RF 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
+2 imágenes
CG2179M2
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Circuitos integrados de interruptores de RF 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2409M2
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551-CG2409M2
CEL
Circuitos integrados de interruptores de RF 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2409M2-C4
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10,000 Se espera el 23/06/2026
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551-CG2409M2-C4
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
258 En existencias
10,000 Se espera el 23/06/2026
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-6000MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
CG2409X3
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N.º de artículo de Mouser
551-CG2409X3
CEL
Circuitos integrados de interruptores de RF 50-6000MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2
CEL
1:
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551-CE3512K2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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Herramientas de desarrollo de antenas 2.4GHz antenna eval board
CEL RAC00024-EVB
RAC00024-EVB
CEL
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Herramientas de desarrollo de antenas 2.4GHz antenna eval board
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Herramientas de desarrollo de antenas 2.4GHz/5GHz dual-band antenna eval board
CEL RAC00245-EVB
RAC00245-EVB
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551-RAC00245-EVB
CEL
Herramientas de desarrollo de antenas 2.4GHz/5GHz dual-band antenna eval board
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Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
CG2214M6
CEL
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200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
551-CG2214M6
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Circuitos integrados de interruptores de RF 0.05GHz to 3.0GHz SPDT pHEMT GaAs
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Detalles
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4-C2
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N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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Mult.: 1
Carrete :
15,000
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