Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
Microchip Technology VRF2933MP
VRF2933MP
Microchip Technology
1:
$355.51
18 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
18 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
42 A
180 V
150 MHz
25 dB
300 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
MACOM DU2810S
DU2810S
MACOM
1:
$91.03
51 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
DU2810S
N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
51 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.8 A
65 V
175 MHz
13 dB
10 W
+ 200 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
PD54003-E
STMicroelectronics
1:
$15.54
115 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
115 En existencias
1
$15.54
10
$7.84
100
$7.75
400
$7.67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
25 V
1 GHz
12 dB
3 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
PD55015TR-E
STMicroelectronics
1:
$28.28
580 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
580 En existencias
Embalaje alternativo
1
$28.28
10
$21.22
100
$18.93
600
$18.37
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
5 A
40 V
1 GHz
14 dB
15 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba
1:
$6.21
450 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ
Toshiba
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
450 En existencias
1
$6.21
10
$4.98
100
$4.03
500
$3.58
1,000
$3.04
2,000
$3.03
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
12 V
470 MHz
11.5 dB
36.5 dBm
+ 150 C
SMD/SMT
PW-X-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1:
$149.37
90 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
90 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
65 V
80 mOhms
2.62 GHz to 2.69 GHz
13.5 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
HB2SOF-8-1
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1:
$50.10
313 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
313 En existencias
Embalaje alternativo
1
$50.10
10
$40.57
25
$38.16
100
$35.56
250
Ver
500
$31.36
250
$34.31
500
$31.36
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WBG-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1:
$250.42
18 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
18 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
MACOM MRF175GU
MRF175GU
MACOM
1:
$341.37
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
5 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF468AG
ARF468AG
Microchip Technology
1:
$85.15
26 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
26 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465BG
ARF465BG
Microchip Technology
1:
$80.37
27 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
27 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
6 A
1.2 kV
60 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
ART1K9FHU
Ampleon
1:
$281.67
190 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
190 En existencias
1
$281.67
10
$243.07
25
$243.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
55 V
69 mOhms
1 MHz to 500 MHz
24.6 dB
1.9 kW
+ 225 C
Screw Mount
SOT539A-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
CLF24H4LS300PU
Ampleon
1:
$295.27
120 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
120 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
GaN SiC
50 V
2.4 GHz to 2.5 GHz
16 dB
300 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1214B-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1:
$224.24
110 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
110 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
110 V
1 Ohms
1 GHz
19 dB
400 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
BLF981SU
Ampleon
1:
$141.45
55 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
55 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
1.4 uA
108 V
24 dB
170 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT-467B-2
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
BLF981U
Ampleon
1:
$141.45
31 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
BLF981U
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
31 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
1.4 uA
108 V
24 dB
170 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT-467C-2
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
BLP981XY
Ampleon
1:
$71.07
58 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY
Nuevo producto
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
58 En existencias
1
$71.07
10
$64.61
100
$58.15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
LDMOS
1.4 uA
108 V
23.8 dB
170 W
+ 225 C
SMD/SMT
TO-270-2F-1
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
ART2K0FESU
Ampleon
1:
$261.39
511 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0FESU
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
511 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
100 mOhms
1 MHz to 400 MHz
28.4 dB
2 kW
+ 225 C
SMD/SMT
SOT539BN-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
ART2K0TFEGJ
Ampleon
1:
$302.67
87 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
87 En existencias
1
$302.67
10
$283.60
20
$281.45
50
$281.41
100
$281.36
200
Ver
200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
107 mOhms
29 dB
+ 225 C
SMD/SMT
ACC-1230-6G-2-7
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1:
$224.24
20 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
20 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
1 Ohms
1.6 GHz
14 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
$65.26
3,618 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
3,618 En existencias
1
$65.26
10
$53.37
25
$47.06
100
$44.99
250
Ver
250
$43.76
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
$129.51
370 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
370 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
20.4 dB
330 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
$595.41
65 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
65 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
25.1 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
$5.55
8,571 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
8,571 En existencias
1
$5.55
10
$4.19
25
$3.85
100
$3.47
250
Ver
1,000
$2.96
250
$3.29
500
$3.19
1,000
$2.96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
20.9 dB
4.9 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
$15.03
5,633 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
5,633 En existencias
Embalaje alternativo
1
$15.03
10
$11.64
25
$10.79
100
$9.85
250
Ver
1,000
$8.91
250
$9.41
500
$9.14
1,000
$8.91
4,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
3 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
15.2 dB
7.3 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
PLD-1.5
Reel, Cut Tape, MouseReel