Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz
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N-Channel
GaAs
60 mA
4 V
10 MHz to 4 GHz
12.3 dB
21.5 dBm
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz
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N-Channel
GaAs
60 mA
4 V
45 MHz to 6 GHz
8.9 dB
20.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
1.4 mm x 1.2 mm
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
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Detalles
N-Channel
GaAs
60 mA
4 V
10 MHz to 4 GHz
12 dB
21.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
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Si
15 mA
3 V
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20.9 dB
20 dBm
- 40 C
+ 85 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
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Detalles
N-Channel
GaAs
120 mA
3 V
45 MHz to 6 GHz
18.6 dB
20.7 dBm
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
MCLP-4
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