MT41K64M16TW-107 IT:J TR

Micron
340-263714-REEL
MT41K64M16TW-107 IT:J TR

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR3 1G 64MX16 FBGA

Ciclo de vida:
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En existencias: 208

Existencias:
208
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En pedido:
2,000
Se espera el 02/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 2208 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 208
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$6.12 $6.12
$5.72 $57.20
$5.55 $138.75
$5.42 $271.00
$5.29 $529.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
$5.29 $10,580.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
MT41K64M16TW-107 IT:J
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$6.64
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Micron Technology
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
64 M x 16
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
MT41K
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Micron
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 63 mA
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Atributos seleccionados: 0 

                        
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MXHTS:
8542320299
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
ECCN:
EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.

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