QPD0011EVB1

Qorvo
772-QPD0011EVB1
QPD0011EVB1

Fabricante:

Descripción:
Herramientas de desarrollo RF 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo RF
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Transistor
QPD0011
3.3 GHz to 3.6 GHz
Marca: Qorvo
Para utilizar con: GaN HEMTs
Tipo de producto: RF Development Tools
Serie: QPD0011
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
Alias de las piezas n.º: QPD0011
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPD0011EVB1 Evaluation Board

Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.