STP50N60DM6

STMicroelectronics
511-STP50N60DM6
STP50N60DM6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Modelo ECAD:
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$4.58 $45.80
$4.20 $420.00
$3.87 $1,935.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
80 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET is a high-voltage N-channel power MOSFET with extremely high dv/dt ruggedness. This power MOSFET is a fast-recovery body diode that is Zener-protected and 100% avalanche-tested. The STMicroelectronics STP50N60DM6 power MOSFET offers low gate charge, low input capacitance, low resistance, and lower RDS(on) per area compared to the previous generation. This MOSFET combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr), and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behavior. The STP50N60DM6 MDmesh DM6 power MOSFET is ideal for switching applications.