Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A TO220-3
SPP21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A TO220-3
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3
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TO-247-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
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1,200 Se espera el 05/03/2026
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TO-247-3
N-Channel
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600 V
20.7 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
87 nC
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208 W
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3
SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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TO-262-3
N-Channel
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21 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
SPA11N65C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Plazo de entrega 11 Semanas
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TO-220FP-3
N-Channel
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650 V
11 A
380 mOhms
- 20 V, 20 V
3.9 V
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CoolMOS
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México