Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 SPW47N65C3 Infineon Technologies 1: $20.20 252En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW47N65C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW47N65C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	252En existencias	$20.20 $15.39 $11.51 $11.49 $10.82	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	47 A	70 mOhms	20 V	2.1 V	255 nC	- 55 C	+ 150 C	415 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB21N50C3 Infineon Technologies 1: $6.38 1,394En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPB21N50C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPB21N50C3	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1,394En existencias	Cinta cortada $6.38 $3.30 $2.98 $2.60 Envase tipo carrete $2.34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	21 A	190 mOhms	20 V	3.9 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.09 2,771En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPD04N60C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPD04N60C3ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY	Hoja de datos	2,771En existencias	Cinta cortada $3.09 $2.00 $1.37 $1.11 $1.05 Envase tipo carrete $1.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.5 A	950 mOhms	20 V	3.9 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3 SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.07 379En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP20N65C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP20N65C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	379En existencias	$7.07 $3.69 $3.35 $2.82	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20.7 A	160 mOhms	20 V	3.9 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies 1: $5.81 995En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPB11N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPB11N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	995En existencias	Cinta cortada $5.81 $3.08 $2.81 $2.41 Envase tipo carrete $2.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	380 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 SPW32N50C3 Infineon Technologies 1: $12.82 1,885En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPW32N50C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW32N50C3	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1,885En existencias	$12.82 $6.90 $6.38 $6.15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	32 A	110 mOhms	20 V	2.1 V	170 nC	- 55 C	+ 150 C	284 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA20N60C3 Infineon Technologies 1: $6.85 511En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA20N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA20N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	511En existencias	$6.85 $3.60 $3.26 $2.54 $2.46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	34.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 SPW16N50C3 Infineon Technologies 1: $5.94 170En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW16N50C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW16N50C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	170En existencias	$5.94 $3.28 $2.51	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	16 A	280 mOhms	20 V	3.9 V	66 nC	- 55 C	+ 150 C	160 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 SPW20N60C3 Infineon Technologies 1: $7.85 894En existencias 4,080Se espera el 31/12/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW20N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW20N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	894En existencias 4,080Se espera el 31/12/2026	$7.85 $4.15 $3.72 $3.43 Ver $3.25 $3.12 $3.03	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies 1: $14.11 180En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW35N60C3FKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPW35N60C3FKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	180En existencias	$14.11 $7.67 $7.10 $7.06	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	34.6 A	81 mOhms	20 V	2.1 V	200 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 SPW47N60C3 Infineon Technologies 1: $17.81 1,845En existencias 6,720Se espera el 22/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW47N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW47N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1,845En existencias 6,720Se espera el 22/10/2026	$17.81 $9.93 $9.45	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	47 A	70 mOhms	20 V	2.1 V	252 nC	- 55 C	+ 150 C	415 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.61 1,925En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPD03N60C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPD03N60C3ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY	Hoja de datos	1,925En existencias	Cinta cortada $2.61 $1.34 $1.12 $0.884 Envase tipo carrete $0.776 Ver $0.853 $0.761 $0.75 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	3.2 A	1.4 Ohms	20 V	3.9 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	38 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3 SPP07N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.15 185En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPP07N60C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP07N60C3XKSA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3	Hoja de datos	185En existencias	$4.15 $2.08 $1.87 $1.59 Ver $1.55 $1.50	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7.3 A	600 mOhms	20 V	3.9 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA15N60C3 Infineon Technologies 1: $6.18 454En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPA15N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA15N60C3 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	454En existencias	$6.18 $3.17 $2.89 $2.51 Ver $2.47 $2.34	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15 A	280 mOhms	20 V	3.9 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.21 530En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPP11N60C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP11N60C3XKSA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3	Hoja de datos	530En existencias	$5.21 $2.95 $2.89 $2.46 $1.81	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	380 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 SPW35N60C3 Infineon Technologies 1: $14.21 118En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW35N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW35N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	118En existencias	$14.21 $10.04 $8.37 $7.45 $6.96	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	34.6 A	100 mOhms	20 V	2.1 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY SPD07N60C3ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.02 858En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPD07N60C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPD07N60C3ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY	Hoja de datos	858En existencias	Cinta cortada $4.02 $2.61 $1.81 $1.53 $1.52 Envase tipo carrete $1.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	7.3 A	600 mOhms	20 V	3.9 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.80 38En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPD08N50C3ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPD08N50C3ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY	Hoja de datos	38En existencias	Cinta cortada $3.80 $1.87 $1.68 $1.35 Envase tipo carrete $1.12 Ver $1.33 $1.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	600 mOhms	20 V	3.9 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3 SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1: $8.20 119En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPP24N60C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP24N60C3XKSA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3	Hoja de datos	119En existencias	$8.20 $6.66 $5.29 $3.34 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24.3 A	160 mOhms	20 V	3.9 V	104.9 nC	- 55 C	+ 150 C	240 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB20N60C3 Infineon Technologies 1: $6.05 825En existencias 2,000Se espera el 28/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante SPB20N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPB20N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	825En existencias 2,000Se espera el 28/10/2026	Cinta cortada $6.05 $3.11 $2.82 $2.42 Envase tipo carrete $2.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1: $6.05 811En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP20N60C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP20N60C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	811En existencias	$6.05 $3.11 $2.82 $2.31 $2.28	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA07N60C3 Infineon Technologies 1: $4.17 62En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPA07N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA07N60C3 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	62En existencias	$4.17 $2.72 $2.22 $1.86 Ver $1.78 $1.76 $1.73 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7.3 A	600 mOhms	20 V	2.1 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA11N65C3 Infineon Technologies 1: $4.45 Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA11N65C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA11N65C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas	$4.45 $2.22 $2.02 $1.59 Ver $1.52 $1.50	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	380 mOhms	20 V	3.9 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA11N60C3 Infineon Technologies 1: $4.85 Plazo de entrega 7 Semanas Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPA11N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA11N60C3 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	Plazo de entrega 7 Semanas	$4.85 $2.46 $2.22 $1.96 Ver $1.91 $1.87 $1.85	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	380 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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