Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 31

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB21N50C3
Infineon Technologies
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SPB21N50C3

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726-SPB21N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.43
1,900En existencias
NRND

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SPD06N60C3ATMA1

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726-SPD06N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$3.43

$2.21

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Envase tipo carrete

$1.01

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

680 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.07
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SPD04N60C3ATMA1

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726-SPD04N60C3ATMA1

NRND

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$3.07

$1.98

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$1.08

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.81
3,804En existencias
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SPD07N60C3ATMA1

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726-SPD07N60C3ATMA1

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$3.81

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$1.23

$1.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $0.884
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SPD03N60C3ATMA1

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726-SPD03N60C3ATMA1

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$0.884

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$0.602

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3.9 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.20
435En existencias
NRND

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SPP20N65C3XKSA1

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726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

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$3.22

$2.94

$2.42

$2.33

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20.7 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

SPW16N50C3
Infineon Technologies
1: $5.60
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SPW16N50C3

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726-SPW16N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

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$5.60

$5.20

$3.17

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
Infineon Technologies
1: $5.41
583En existencias
NRND

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SPA15N60C3

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726-SPA15N60C3

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.40
3,468En existencias
NRND

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SPD08N50C3ATMA1

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726-SPD08N50C3ATMA1

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

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SPW47N65C3
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1: $20.48
274En existencias
NRND

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SPW47N65C3

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726-SPW47N65C3

NRND

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

255 nC

- 55 C

+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB20N60C3
Infineon Technologies
1: $5.47
2,540En existencias
NRND

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SPB20N60C3

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726-SPB20N60C3

NRND

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$3.60

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

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SPD04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.98
261En existencias
NRND

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SPD04N50C3ATMA1

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726-SPD04N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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261En existencias

Cinta cortada

$1.98

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$0.724

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

4.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.30
868En existencias
NRND

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SPP20N60C3XKSA1

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726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
1: $12.21
34En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3FKSA1

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726-SPW35N60C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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$12.21

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$6.19

$6.16

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34.6 A

81 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3
Infineon Technologies
1: $15.61
1,323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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$15.61

$9.41

$8.05

$7.90

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

252 nC

- 55 C

+ 150 C

415 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

SPW32N50C3
Infineon Technologies
1: $11.23
1,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW32N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3

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1,432En existencias

$11.23

$6.59

$5.56

$5.14

$5.08

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

32 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

284 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: $5.38
531En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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531En existencias

Cinta cortada

$5.38

$3.13

$2.95

$2.34

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Envase tipo carrete

$1.86

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A TO220-3

SPP15N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.79
306En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SPP15N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP15N60C3XKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A TO220-3

Hoja de datos

306En existencias

$5.79

$3.00

$2.81

$2.80

$2.46

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N60C3
Infineon Technologies
1: $4.63
489En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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489En existencias

$4.63

$4.50

$2.35

$2.13

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA20N60C3
Infineon Technologies
1: $4.95
226En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

226En existencias

$4.95

$3.63

$2.56

$2.11

$1.98

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.7 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

34.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: $0.91
6En existencias
2,500Se espera el 11/06/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

6En existencias

2,500Se espera el 11/06/2026

Cinta cortada

$0.91

$0.905

$0.845

$0.781

Envase tipo carrete

$0.677

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3.9 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.46
249En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP07N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP07N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

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249En existencias

$3.46

$1.91

$1.78

$1.40

$1.24

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

21 nC

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83 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

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