200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Todos los resultados (26)

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
11,947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23,918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
210En existencias
1,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
11,448En existencias
12,000Se espera el 22/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
Hoja de datos
3,662En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
3,057En existencias
2,400Se espera el 27/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
7,320En existencias
9,000Se espera el 27/08/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Hoja de datos
3,223En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
1,723En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
573En existencias
2,000Se espera el 01/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
3,204En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
21,243En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
1,580En existencias
4,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Hoja de datos
5,017En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
5,667En existencias
4,800Se espera el 02/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
940En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Hoja de datos
1,431En existencias
8,000Se espera el 11/06/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
1,803En existencias
12,800Se espera el 03/09/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
178En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Hoja de datos
561En existencias
11,200En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 1,396En existencias
5,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 545En existencias
400Se espera el 11/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Hoja de datos
5,186En existencias
15,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Hoja de datos
1,740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000