Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
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10
$0.987
100
$0.715
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$0.554
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$0.525
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
95 A
4.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
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IQE030N06NM5CGSCATMA1
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$3.39
100
$2.38
500
$1.96
6,000
$1.83
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Mult.: 1
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6,000
Si
SMD/SMT
WHTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
21 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IST011N06NM5AUMA1
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726-IST011N06NM5AUMA
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1
$6.63
10
$4.80
100
$3.43
500
$3.06
2,000
$2.85
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Mult.: 1
Carrete :
2,000
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
399 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
3.3 V
110 nC
- 55 C
+ 175 C
313 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5CGATMA1
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1:
$4.72
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726-IQE030N06NM5CGAT
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1
$4.72
10
$3.03
100
$2.18
500
$1.81
1,000
Ver
5,000
$1.63
1,000
$1.73
2,500
$1.63
5,000
$1.63
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
137 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
ISC015N06NM5ATMA1
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726-ISC015N06NM5ATMA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
3,490 En existencias
1
$4.32
10
$2.80
100
$1.92
500
$1.61
1,000
Ver
5,000
$1.27
1,000
$1.50
2,500
$1.39
5,000
$1.27
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
259 A
1.5 mOhms
20 V
3.3 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH61N06NM5ATMA1
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1:
$10.84
2,900 En existencias
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726-IQFH61N06NM5ATMA
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
2,900 En existencias
1
$10.84
10
$7.63
100
$6.18
500
$5.49
1,000
$4.86
3,000
$4.86
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
510 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
190 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISG0614N06NM5HATMA1
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1:
$6.76
3,484 En existencias
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726-ISG0614N06NM5HAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3,484 En existencias
1
$6.76
10
$4.50
100
$3.20
500
$2.85
3,000
$2.69
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TFN-10
N-Channel
2 Channel
60 V
233 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5L022ATMA1
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1:
$3.61
6,414 En existencias
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726-IAUC120N06S5L022
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
6,414 En existencias
1
$3.61
10
$2.33
100
$1.60
500
$1.30
1,000
Ver
5,000
$1.13
1,000
$1.21
2,500
$1.17
5,000
$1.13
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
170 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.7 V
77 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
IAUC120N06S5N032ATMA1
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1:
$3.09
3,575 En existencias
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726-IAUC120N06S5N032
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
3,575 En existencias
1
$3.09
10
$1.96
100
$1.33
500
$1.07
1,000
Ver
5,000
$0.855
1,000
$0.963
2,500
$0.90
5,000
$0.855
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
120 A
3.23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
47 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
360°
+3 imágenes
IPTC012N06NM5ATMA1
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1:
$9.61
338 En existencias
1,800 Se espera el 09/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
338 En existencias
1,800 Se espera el 09/07/2026
1
$9.61
10
$6.29
100
$4.63
500
$4.12
1,000
$3.65
1,800
$3.65
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,800
Detalles
Si
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
1 Channel
60 V
311 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.89
4,456 En existencias
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726-IQE022N06LM5CGAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
4,456 En existencias
1
$4.89
10
$3.19
100
$2.22
500
$1.87
1,000
Ver
5,000
$1.63
1,000
$1.73
2,500
$1.63
5,000
$1.63
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.29
5,330 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
5,330 En existencias
1
$5.29
10
$3.46
100
$2.59
500
$2.16
1,000
Ver
6,000
$1.89
1,000
$2.00
2,500
$1.89
6,000
$1.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.67
1,603 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5SCAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,603 En existencias
1
$5.67
10
$3.71
100
$2.77
500
$2.31
1,000
Ver
6,000
$2.02
1,000
$2.15
2,500
$2.02
6,000
$2.02
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6,000
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
21 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
2.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1
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1:
$3.82
49,265 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
49,265 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.82
10
$2.35
100
$1.74
500
$1.40
1,000
$1.34
5,000
$1.24
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
133 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.03
33,858 En existencias
95,000 Se espera el 02/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
33,858 En existencias
95,000 Se espera el 02/07/2026
1
$3.03
10
$1.92
100
$1.30
500
$1.05
1,000
Ver
5,000
$0.836
1,000
$0.943
2,500
$0.88
5,000
$0.836
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$9.10
290 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQFH86N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
290 En existencias
1
$9.10
10
$6.08
100
$4.89
500
$4.34
1,000
$3.85
3,000
$3.85
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
394 A
1.47 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.81
300 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQFH99N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
300 En existencias
1
$8.81
10
$5.77
100
$4.25
500
$3.77
1,000
$3.35
3,000
$3.35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-12
N-Channel
1 Channel
60 V
339 A
1.72 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$9.31
69 En existencias
4,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
69 En existencias
4,000 En pedido
1
$9.31
10
$6.23
100
$5.01
500
$4.45
1,000
$3.94
2,000
$3.94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
60 V
427 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
171 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.95
87 En existencias
6,000 Se espera el 27/05/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
87 En existencias
6,000 Se espera el 27/05/2027
1
$5.95
10
$3.90
100
$2.85
500
$2.39
1,000
Ver
6,000
$2.15
1,000
$2.30
2,500
$2.21
6,000
$2.15
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WHSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
151 A
- 20 V, 20 V
2.3 V
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.80
10,981 En existencias
10,000 Se espera el 27/05/2027
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
10,981 En existencias
10,000 Se espera el 27/05/2027
1
$2.80
10
$1.76
100
$1.16
500
$0.918
5,000
$0.716
10,000
Ver
1,000
$0.815
2,500
$0.745
10,000
$0.692
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8-33
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
5 mOhms
- 16 V, 16 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1:
$11.54
2,279 En existencias
2,000 Se espera el 02/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPT008N06NM5LFAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,279 En existencias
2,000 Se espera el 02/07/2026
1
$11.54
10
$8.13
100
$6.58
500
$5.84
1,000
$5.17
2,000
$5.17
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
454 A
800 uOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
185 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC010N06NM5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
60 V
330 A
1.05 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
336 En existencias
500 Se espera el 02/07/2026
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$5.03
10
$3.28
100
$2.38
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$1.86
2,500
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8
BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
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726-BSC097N06NSATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8
374 En existencias
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$0.585
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$0.727
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
46 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
36 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IAUC41N06S5N102ATMA1
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726-IAUC41N06S5N102A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
2,812 En existencias
5,000 Se espera el 09/07/2026
1
$2.42
10
$1.50
100
$0.984
500
$0.774
5,000
$0.532
10,000
Ver
1,000
$0.662
2,500
$0.599
10,000
$0.514
25,000
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Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
41 A
10.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.4 V
12.5 nC
- 55 C
+ 175 C
42 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel