Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380P6ATMA1
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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6
Infineon Technologies
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Tube

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IPL60R210P6
Infineon Technologies
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IPW60R099P6XKSA1
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IPA60R190P6
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CoolMOS

Tube

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IPW60R190P6
Infineon Technologies
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IPW60R190P6

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IPP60R099P6
Infineon Technologies
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IPP60R099P6

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CoolMOS

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IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
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IPD60R600P6ATMA1

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CoolMOS

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IPA60R099P6
Infineon Technologies
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IPA60R099P6

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726-IPA60R099P6

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37.9 A

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CoolMOS

Tube

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IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
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176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.84
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IPA60R099P6XKSA1

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726-IPA60R099P6XKSA1

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CoolMOS

Tube

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IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: $4.62
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

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$4.62

$3.00

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.38
328En existencias

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IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

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Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.41
242En existencias

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IPP60R099P6XKSA1

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726-IPP60R099P6XKSA1

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37.9 A

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CoolMOS

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IPW60R041P6
Infineon Technologies
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68En existencias
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IPW60R041P6

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726-IPW60R041P6

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$12.84

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.71
139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

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139En existencias

$4.71

$3.45

$3.04

$3.03

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N-Channel

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30 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: $4.75
352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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352En existencias

$4.75

$4.72

$2.38

$2.24

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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399En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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399En existencias

500Se espera el 28/01/2027

$5.64

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30 A

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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Infineon Technologies
1: $3.51
75En existencias

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IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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538 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6
Infineon Technologies
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IPA60R280P6

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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