Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.70
7,256 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
7,256 En existencias
1
$2.70
10
$1.72
100
$1.16
500
$0.937
2,500
$0.736
5,000
Ver
1,000
$0.84
5,000
$0.694
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
10.6 A
380 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
31 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
1:
$4.42
3,881 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
3,881 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.42
10
$3.13
100
$2.46
500
$2.16
3,000
$1.77
6,000
Ver
1,000
$2.04
6,000
$1.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
22.4 A
162 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 40 C
+ 150 C
176 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.55
714 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
714 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.55
10
$5.34
100
$4.19
500
$3.21
2,500
Ver
2,500
$3.12
5,000
$3.00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37.9 A
89 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
IPA60R190P6
Infineon Technologies
1:
$4.10
524 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
524 En existencias
1
$4.10
10
$2.67
100
$1.83
500
$1.52
1,000
Ver
1,000
$1.42
2,500
$1.33
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.2 A
190 Ohms
- 20 V, 20 V
3.5 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
IPP60R190P6
Infineon Technologies
1:
$4.54
737 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
737 En existencias
1
$4.54
10
$2.96
100
$2.08
500
$1.73
1,000
Ver
1,000
$1.60
2,500
$1.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.2 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
151 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
IPA60R600P6
Infineon Technologies
1:
$2.93
430 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
430 En existencias
1
$2.93
10
$1.86
100
$1.25
500
$1.01
1,000
Ver
1,000
$0.907
2,500
$0.849
5,000
$0.811
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
7.3 A
540 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
+1 imagen
IPW60R190P6
Infineon Technologies
1:
$5.47
575 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
575 En existencias
1
$5.47
10
$3.59
100
$2.68
480
$2.24
1,200
Ver
1,200
$2.07
2,640
$1.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.2 A
171 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
151 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.34
1,986 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
1,986 En existencias
1
$2.34
10
$1.47
100
$0.966
500
$0.767
2,500
$0.621
5,000
Ver
1,000
$0.681
5,000
$0.598
10,000
$0.537
25,000
$0.524
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
7.3 A
600 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
+1 imagen
IPW60R160P6
Infineon Technologies
1:
$6.51
804 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
804 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.51
10
$4.26
100
$3.19
480
$2.65
1,200
Ver
1,200
$2.47
2,640
$2.33
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
176 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM
IPL60R210P6
Infineon Technologies
1:
$4.77
242 En existencias
3,000 Se espera el 15/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM
242 En existencias
3,000 Se espera el 15/07/2026
Embalaje alternativo
1
$4.77
10
$3.11
100
$2.18
500
$1.83
1,000
$1.77
3,000
$1.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
ThinPAK-5
N-Channel
1 Channel
600 V
19.2 A
189 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
37 nC
- 40 C
+ 150 C
151 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPP60R125P6
Infineon Technologies
1:
$6.99
450 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
450 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.99
10
$4.59
100
$3.42
500
$2.86
1,000
Ver
1,000
$2.65
2,500
$2.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
113 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
219 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.16
822 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
822 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.16
10
$3.85
100
$3.02
500
$2.20
5,000
$2.04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
113 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.82
3,027 En existencias
2,000 Se espera el 15/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
3,027 En existencias
2,000 Se espera el 15/07/2026
1
$5.82
10
$3.82
100
$2.77
500
$2.30
1,000
$2.12
2,000
Ver
2,000
$2.08
5,000
$1.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
160 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
176 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$7.87
879 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
879 En existencias
Embalaje alternativo
1
$7.87
10
$4.60
100
$3.80
500
$3.56
1,000
Ver
1,000
$2.86
2,500
$2.80
5,000
$2.70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37.9 A
89 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
+1 imagen
IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.37
1,197 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
1,197 En existencias
Embalaje alternativo
1
$9.37
10
$5.30
100
$4.39
480
$3.73
1,200
Ver
1,200
$3.30
2,640
$2.90
5,040
$2.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37.9 A
89 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
IPA60R160P6
Infineon Technologies
1:
$5.03
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
30 En existencias
Embalaje alternativo
1
$5.03
10
$3.28
100
$2.30
500
$1.91
1,000
Ver
1,000
$1.78
2,500
$1.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$5.40
8 En existencias
1,000 Se espera el 01/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
8 En existencias
1,000 Se espera el 01/10/2026
Embalaje alternativo
1
$5.40
10
$2.95
100
$2.50
500
$1.98
1,000
Ver
1,000
$1.85
2,500
$1.79
5,000
$1.70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
IPA60R280P6
Infineon Technologies
1:
$3.68
39 En existencias
500 Se espera el 15/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
39 En existencias
500 Se espera el 15/07/2026
Embalaje alternativo
1
$3.68
10
$2.37
100
$1.61
500
$1.35
1,000
Ver
1,000
$1.21
2,500
$1.14
5,000
$1.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13.8 A
252 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
25.5 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.94
736 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
736 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.94
10
$2.11
100
$1.74
500
$1.42
1,000
Ver
1,000
$1.17
2,500
$1.14
5,000
$1.03
10,000
$0.996
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13.8 A
252 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
25.5 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
+1 imagen
IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.03
113 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
113 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.03
10
$4.77
100
$3.87
480
$3.02
1,200
Ver
1,200
$2.76
2,640
$2.67
5,040
$2.55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
113 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
219 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
+1 imagen
IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.92
343 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
343 En existencias
Embalaje alternativo
1
$6.92
10
$4.13
100
$3.47
480
$2.59
1,200
Ver
1,200
$2.34
2,640
$2.26
5,040
$2.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
176 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPA60R099P6
Infineon Technologies
1:
$7.63
383 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
383 En existencias
Embalaje alternativo
1
$7.63
10
$5.01
100
$3.76
500
$3.19
1,000
$2.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37.9 A
89 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.26
520 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
520 En existencias
1
$4.26
10
$2.31
100
$2.13
500
$1.72
1,000
Ver
1,000
$1.29
2,500
$1.27
5,000
$1.15
10,000
$1.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
16.8 A
538 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPP60R099P6
Infineon Technologies
1:
$8.67
500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
500 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.67
10
$5.68
100
$4.26
500
$3.61
1,000
$3.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37.9 A
89 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.01
276 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
276 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.01
10
$4.59
100
$3.77
500
$2.70
1,000
Ver
1,000
$2.47
2,500
$2.39
5,000
$2.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
113 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
219 W
Enhancement
CoolMOS
Tube