MOSFETs de SiC – Mouser México

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650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R057M1HXTMA1
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IMBG65R057M1HXTMA1

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

161 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R260M1HXTMA1
Infineon Technologies
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726-IMBG65R260M1HXTM

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$1.94

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1 Channel

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
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726-IMBG65R107M1HXTM

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650 V

24 A

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5.7 V

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110 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R022M1HXTMA1
Infineon Technologies
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Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R163M1HXTMA1
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$6.47

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$2.35

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Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R039M1HXTMA1
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$10.09

$7.72

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$5.66

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Enhancement

CoolSiC

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IMBG65R030M1HXTMA1
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$15.05

$10.21

$8.88

$8.87

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CoolSiC

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IMZA65R107M1HXKSA1
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$6.12

$4.41

$3.90

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CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
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IMBG65R083M1HXTMA1

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$5.27

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CoolSiC

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IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
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$9.37

$6.34

$4.76

$4.75

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$3.87

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
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1 Channel

650 V

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Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R048M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: $11.28
1,051En existencias

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IMBG65R048M1HXTMA1

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1,051En existencias

Cinta cortada

$11.28

$7.72

$6.10

$6.08

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Min.: 1
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Enhancement

CoolSiC

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IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $17.20
222En existencias
720Se espera el 30/07/2026

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IMZA65R027M1HXKSA1

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222En existencias

720Se espera el 30/07/2026

$17.20

$10.44

$9.17

$8.74

Presupuesto

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1 Channel

650 V

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Enhancement

CoolSiC

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IMZA65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.72
254En existencias

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IMZA65R030M1HXKSA1

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726-IMZA65R030M1HXKS

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254En existencias

$13.72

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$7.85

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5.7 V

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197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.74
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

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332En existencias

$10.74

$6.81

$5.84

$5.51

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

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125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $16.55
153En existencias
240Se espera el 23/02/2026

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IMW65R027M1HXKSA1

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153En existencias

240Se espera el 23/02/2026

$16.55

$10.02

$8.59

$8.53

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

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- 5 V, + 23 V

5.7 V

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189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.26
20En existencias
240Se espera el 02/03/2026

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IMW65R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R030M1HXKSA

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20En existencias

240Se espera el 02/03/2026

$15.26

$9.19

$8.40

$7.76

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

42 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.49
91En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R057M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R057M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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91En existencias

$9.49

$5.79

$4.93

$4.77

$4.72

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

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133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.37
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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300En existencias

$9.37

$4.91

$4.46

$4.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R083M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.24
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R083M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R083M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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92En existencias

$7.24

$4.65

$4.08

$3.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

111 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.51
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

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726-IMW65R107M1HXKSA

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251En existencias

$7.51

$4.37

$3.94

$3.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.35
155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R039M1HXKSA1

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726-IMZA65R039M1HXKS

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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155En existencias

$11.35

$7.42

$5.93

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R057M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.57
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R057M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R057M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

132En existencias

$9.57

$6.16

$6.03

$4.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

74 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R039M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.57
480Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R039M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R039M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

480Se espera el 23/02/2026

$11.57

$7.11

$6.16

$5.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

50 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.69
480Se espera el 16/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

480Se espera el 16/06/2026

$10.69

$6.42

$5.79

$5.37

$5.28

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.61
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R072M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

$9.61

$5.56

$4.56

$4.17

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

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