Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
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31 nC
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N-Channel
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800 V
8 A
560 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
60 nC
- 55 C
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500
$1.04
2,500
$0.894
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$0.958
5,000
$0.849
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$0.771
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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800 V
4 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
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$13.07
480
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
54.9 A
77 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
288 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
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$1.57
2,500
$1.48
5,000
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
560 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
60 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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800 V
17 A
290 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
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SPB17N80C3ATMA1
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500
$2.85
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$2.50
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$2.28
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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800 V
17 A
250 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
117 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
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$3.37
100
$2.67
480
$2.37
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$2.04
2,640
$1.99
5,040
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Detalles
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
390 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
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$5.56
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480
$3.63
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
290 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
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$2.11
100
$1.74
500
$1.40
1,000
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1,000
$1.26
2,500
$1.24
5,000
$1.11
10,000
$1.08
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
780 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
41 nC
- 55 C
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39 W
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$2.46
10
$1.46
100
$0.985
500
$0.798
2,500
$0.653
5,000
Ver
1,000
$0.716
5,000
$0.618
10,000
$0.55
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DPAK-3 (TO-252-3)
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800 V
2 A
2.7 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
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$2.69
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$1.85
500
$1.50
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1,000
$1.38
2,500
$1.34
5,000
$1.30
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Detalles
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
8 A
650 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
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SPP04N80C3
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$3.13
10
$1.99
100
$1.35
500
$1.09
1,000
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1,000
$0.972
2,500
$0.909
5,000
$0.868
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Mult.: 1
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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SPP04N80C3XKSA1
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$3.22
10
$1.76
100
$1.39
500
$1.10
1,000
Ver
1,000
$0.949
2,500
$0.909
5,000
$0.862
10,000
$0.807
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Mult.: 1
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.1 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
CoolMOS
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SPP06N80C3
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10
$2.16
100
$1.47
500
$1.24
1,000
Ver
1,000
$1.10
2,500
$1.04
5,000
$0.993
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N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
900 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
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SPP06N80C3XKSA1
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$3.46
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$1.92
100
$1.52
500
$1.27
1,000
Ver
1,000
$1.02
2,500
$0.935
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Mult.: 1
Detalles
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
780 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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+1 imagen
SPW11N80C3
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1:
$5.56
35 En existencias
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726-SPW11N80C3
NRND
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$5.56
10
$3.64
100
$2.72
480
$2.26
1,200
Ver
1,200
$2.11
2,640
$1.98
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
390 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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+1 imagen
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240 Se espera el 17/08/2026
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$8.27
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$4.49
100
$3.78
480
$3.54
1,200
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1,200
$3.16
2,640
$3.03
5,040
$2.98
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Detalles
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
250 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
117 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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SPA11N80C3XKSA1
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1:
$4.73
855 En existencias
NRND
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726-SPA11N80C3XKSA1
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
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$4.73
10
$2.69
100
$2.16
500
$1.81
1,000
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1,000
$1.66
2,500
$1.51
5,000
$1.42
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
390 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
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2.1 V
64 nC
- 55 C
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