800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 800V CoolMOS™ P7 MOSFETs combine best-in-class performance with ease-of-use. The P7 set a new benchmark in 800V super junction technologies. The transistors offer up to 0.6 percent efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature. The transistors feature optimized device parameters like over 50% reduction in Eoss and Qg, reduced Ciss and Coss. The CoolMOS P7 also enable higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. The CoolMOS P7 are a perfect fit for low-power SMPS applications.

Resultados: 32
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
4,768En existencias
Cinta cortada
$4.38
$2.20
$1.98
$1.60
$1.56
Envase tipo carrete
$1.47
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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8,670En existencias
Cinta cortada
$2.33
$1.11
$0.987
$0.777
Envase tipo carrete
$0.632
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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9,128En existencias
Cinta cortada
$1.81
$0.848
$0.754
$0.588
Envase tipo carrete
$0.471
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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4,448En existencias
Cinta cortada
$2.82
$1.37
$1.22
$0.969
$0.898
Envase tipo carrete
$0.806
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,266En existencias
$2.95
$1.43
$1.28
$0.975
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,444En existencias
$3.89
$1.70
$1.52
$1.30
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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1,421En existencias
$2.64
$1.18
$1.06
$0.889
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
7,574En existencias
500Se espera el 21/10/2026
$3.32
$1.61
$1.48
$1.18
$0.957
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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7,335En existencias
Cinta cortada
$4.77
$2.67
$2.42
$2.00
$1.99
Envase tipo carrete
$1.87
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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2,986En existencias
7,500En pedido
Cinta cortada
$3.21
$1.57
$1.40
$1.12
Envase tipo carrete
$0.987
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
7,426En existencias
Cinta cortada
$2.61
$1.26
$1.12
$0.889
$0.866
Envase tipo carrete
$0.727
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
2,982En existencias
Cinta cortada
$3.06
$1.55
$1.39
$1.10
Envase tipo carrete
$0.904
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
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Hoja de datos
1,499En existencias
2,500Se espera el 08/10/2026
Cinta cortada
$1.96
$0.92
$0.819
$0.641
Envase tipo carrete
$0.52
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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245En existencias
$5.23
$2.89
$2.77
$2.21
$2.13
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
702En existencias
$2.61
$1.25
$1.12
$0.952
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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488En existencias
$5.53
$2.82
$2.56
$2.08
$2.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
764En existencias
$4.54
$2.28
$2.05
$1.70
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
853En existencias
500Se espera el 29/10/2026
$3.46
$1.70
$1.52
$1.22
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
2,894En existencias
Cinta cortada
$2.13
$1.10
$0.954
$0.754
Envase tipo carrete
$0.612
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice
Hoja de datos
4,447En existencias
Cinta cortada
$1.68
$0.781
$0.693
$0.538
Envase tipo carrete
$0.434
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
159En existencias
10,000Se espera el 22/04/2027
Cinta cortada
$3.86
$1.96
$1.72
$1.39
$1.34
Envase tipo carrete
$1.18
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 3 V 24 nC - 50 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
3,652En existencias
Cinta cortada
$1.59
$0.735
$0.633
$0.504
Envase tipo carrete
$0.406
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,375En existencias
15,000En pedido
Cinta cortada
$1.99
$0.933
$0.831
$0.65
Envase tipo carrete
$0.517
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
663En existencias
Cinta cortada
$1.68
$0.784
$0.696
$0.541
Envase tipo carrete
$0.426
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 30 V 3.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
3,000En existencias
12,000En pedido
Cinta cortada
$1.44
$0.664
$0.589
$0.455
Envase tipo carrete
$0.365
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 3.8 Ohms 20 V 2.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel