60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

Resultados: 29
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel