Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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Paquete / Cubierta

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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15 A

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SMD/SMT

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1 Channel

60 V

16 A

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60 V

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

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60 V

1.9 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.9 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

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SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

250 mA

13 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.1 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

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SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

60 V

250 mA

13 Ohms

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2.5 V

1.1 nC

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