Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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IPZ65R065C7
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IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
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IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
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Enhancement

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IPD65R225C7
Infineon Technologies
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IPD65R225C7

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726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

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$3.67

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPA65R095C7
Infineon Technologies
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IPA65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7

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1 Channel

650 V

12 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW65R065C7
Infineon Technologies
1: $10.21
224En existencias

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IPW65R065C7

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726-IPW65R065C7

Infineon Technologies

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650 V

33 A

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CoolMOS

Tube

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IPW65R190C7
Infineon Technologies
1: $4.54
43En existencias

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IPW65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7

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1 Channel

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: $12.86
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

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726-IPA65R045C7

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650 V

18 A

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CoolMOS

Tube

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IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

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73En existencias

$5.90

$3.06

$2.78

$2.28

$2.17

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N-Channel

1 Channel

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10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.47
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

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726-IPA65R190C7XKSA1

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377En existencias

$4.47

$2.91

$2.22

$1.86

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP65R095C7
Infineon Technologies
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IPP65R095C7

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726-IPP65R095C7

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$7.74

$5.40

$4.37

$3.87

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7
Infineon Technologies
1: $13.48
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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$13.48

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46 A

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R125C7
Infineon Technologies
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IPP65R125C7

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

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$3.90

$3.16

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111 mOhms

- 20 V, 20 V

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

IPP65R225C7
Infineon Technologies
500: $1.56
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

$1.56

$1.34

$1.28

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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