Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 29

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

IPW65R095C7
Infineon Technologies
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886En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW

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$10.50

$7.03

$5.66

$5.01

$4.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7
Infineon Technologies
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753En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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$14.77

$10.44

$8.70

$7.75

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R019C7
Infineon Technologies
1: $29.45
773En existencias

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IPW65R019C7

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

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$29.45

$22.00

$19.02

$17.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

IPL65R230C7
Infineon Technologies
1: $4.72
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IPL65R230C7

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726-IPL65R230C7

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$4.72

$3.07

$2.15

$1.81

$1.68

Envase tipo carrete

$1.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

67 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R065C7
Infineon Technologies
1: $10.76
467En existencias

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$10.76

$7.58

$6.14

$5.45

$4.88

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: $15.89
178En existencias

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IPA65R045C7

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726-IPA65R045C7

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$15.89

$11.49

$9.58

$8.53

$8.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA65R095C7
Infineon Technologies
1: $9.28
242En existencias
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IPA65R095C7

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726-IPA65R095C7

Fin de vida útil

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$9.28

$6.20

$4.99

$4.43

$3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA65R065C7
Infineon Technologies
1: $11.84
243En existencias

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IPA65R065C7

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726-IPA65R065C7

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$11.84

$8.33

$6.75

$5.99

$5.30

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: $31.20
93En existencias

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IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

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$24.97

$21.59

$20.45

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $16.08
998En existencias
2,000Se espera el 18/03/2027

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IPB65R045C7ATMA2

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726-IPB65R045C7ATMA2

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998En existencias

2,000Se espera el 18/03/2027

Cinta cortada

$16.08

$11.64

$9.70

$8.65

Envase tipo carrete

$8.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $12.82
1,274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R065C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R065C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

$12.82

$8.89

$6.89

$6.03

Envase tipo carrete

$5.06

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $9.57
916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R095C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

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916En existencias

Cinta cortada

$9.57

$6.12

$4.64

$4.24

Envase tipo carrete

$3.85

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: $4.16
1,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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Cinta cortada

$4.16

$2.78

$1.94

$1.64

Envase tipo carrete

$1.39

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

225 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.58
69En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

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69En existencias

$7.58

$4.41

$3.71

$3.07

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.36
155En existencias
500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

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155En existencias

500En pedido

$5.36

$3.50

$2.55

$2.12

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD65R190C7
Infineon Technologies
1: $4.63
1,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7

Infineon Technologies

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1,081En existencias

Cinta cortada

$4.63

$3.02

$2.12

$1.77

$1.69

Envase tipo carrete

$1.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R190C7
Infineon Technologies
1: $6.37
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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243En existencias

$6.37

$4.17

$3.12

$2.60

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
1: $5.43
947En existencias
1,000Se espera el 24/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190C7ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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947En existencias

1,000Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

$5.43

$3.56

$2.65

$2.22

Envase tipo carrete

$1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

404 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R095C7
Infineon Technologies
1: $9.41
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R095C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R095C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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99En existencias

$9.41

$6.16

$4.54

$3.85

$3.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

128 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7
Infineon Technologies
1: $16.32
61En existencias
240Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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Hoja de datos

61En existencias

240Se espera el 15/07/2026

$16.32

$12.16

$10.14

$9.02

$8.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R065C7
Infineon Technologies
1: $12.68
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

194En existencias

$12.68

$8.66

$7.14

$6.36

$6.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: $18.16
240Se espera el 18/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Hoja de datos

240Se espera el 18/02/2027

$18.16

$13.83

$11.53

$9.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

IPP65R225C7
Infineon Technologies
500: $1.79
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

$1.79

$1.66

$1.57

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

199 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R070C7
Infineon Technologies
3,000: $5.67
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R070C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R070C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

$5.67

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

169 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R099C7
Infineon Technologies
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SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

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128 W

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