Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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600 V
12 A
214 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 40 C
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53 W
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3,156 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
305 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
13 nC
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41 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
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5,000 Se espera el 18/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
13,265 En existencias
5,000 Se espera el 18/03/2026
1
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
700 V
4 A
1.15 Ohms
- 16 V, 16 V
2.5 V
4.7 nC
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22.7 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel