Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low R_DS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an R_DS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio

PJMF280N60E1_T0_00201
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1 Channel

600 V

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- 30 V, 30 V

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET

PJMH074N60FRC_T0_00601
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF360N60EC_T0_00001
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1 Channel

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Enhancement

Tube

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PJMF120N60EC_T0_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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11 A

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Tube

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMD280N60E1_L2_00601
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600 V

13.8 A

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Enhancement

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PJMF105N60FRC_T0_00601
Panjit
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600 V

35 A

105 mOhms

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5.8 V

60 nC

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMH099N60EC_T0_00601
Panjit
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PJMH099N60EC_T0_00601

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600 V

39 A

99 mOhms

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60 nC

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308 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

PJMP105N60FRC_T0_00601
Panjit
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PJMP105N60FRC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss

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TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

5.8 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

329 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss

PJMH074N60FRC
Panjit
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PJMH074N60FRC

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241-PJMH074N60FRC

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TO-247AD-3LD

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600 V

53 A

74 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMF099N60EC_T0_00601
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PJMF099N60EC_T0_00601

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ITO-220AB-F-3

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600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET

PJMP099N60EC_T0_00601
Panjit
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PJMP099N60EC_T0_00601

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241-PJMP099N60ECT601

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600 V

39 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

308 W

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PJMF190N60E1_T0_00001
Panjit
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PJMF190N60E1_T0_00001

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$3.35

$1.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD900N60EC_L2_00001
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PJMD900N60EC_L2_00001

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241-PJMD900N60L20001

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TO-252AA-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF280N60E1_T0_00001
Panjit
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PJMF280N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N60E1T001

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$2.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF900N60EC_T0_00001
Panjit
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PJMF900N60EC_T0_00001

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241-PJMF900N60T00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio

PJMF900N60E1_T0_00201
Panjit
1: $2.69
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N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60E1_T0_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60E1T201

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio

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4.4 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

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- 55 C

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23.6 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1

PJMF360N60E1_T0_00001
Panjit
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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PJMF360N60E1_T0_00001

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241-PJMF360N60E1T001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio

PJMF360N60E1_T0_00201
Panjit
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PJMF360N60E1_T0_00201

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241-PJMF360N60E1T201

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio

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$1.13

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1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

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22 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF580N60E1_T0_00001
Panjit
2,000: $0.787
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

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PJMF580N60E1_T0_00001

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1

PJMF900N60E1_T0_00001
Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PJMF900N60E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF900N60E1T001

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600V N-Channel Super Junction MOSFETs

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